（集成电路设计与集成系统）制造工艺试题及答案.docVIP

2025年（集成电路设计与集成系统）制造工艺试题及答案

第I卷（选择题，共40分）

答题要求：本卷共20题，每题2分。每题只有一个正确答案，请将正确答案填涂在答题卡相应位置。

1.集成电路制造工艺中，光刻的主要作用是

A.定义器件的几何形状

B.掺杂杂质

C.形成金属互连

D.去除多余的硅

2.以下哪种光刻技术分辨率最高

A.紫外光刻

B.极紫外光刻

C.电子束光刻

D.X射线光刻

3.在集成电路制造中，用于形成源漏区的工艺是

A.氧化

B.光刻

C.掺杂

D.刻蚀

4.集成电路制造中常用的衬底材料是

A.铜

B.铝

C.硅

D.金

5.化学气相沉积（CVD）工艺可以用于

A.形成绝缘层

B.光刻图形转移

C.掺杂杂质

D.去除硅片表面杂质

6.干法刻蚀相对于湿法刻蚀的优点是

A.刻蚀速度快

B.选择性好

C.对硅片损伤小

D.以上都是

7.集成电路制造中，用于提高器件性能的工艺是

A.退火

B.光刻

C.掺杂

D.刻蚀

8.以下哪种材料常用于集成电路的金属互连

A.硅

B.铜

C.二氧化硅

D.氮化硅

9.集成电路制造工艺中，光刻的曝光波长越短，

A.分辨率越低

B.分辨率越高

C.对光刻胶要求越低

D.光刻速度越快

10.在集成电路制造中，用于隔离不同器件的工艺是

A.氧化

B.光刻

C.掺杂

D.刻蚀

11.化学机械抛光（CMP）工艺主要用于

A.平坦化硅片表面

B.去除光刻胶

C.掺杂杂质

D.形成金属互连

12.集成电路制造中，常用的掺杂方法不包括

A.离子注入

B.扩散

C.光刻

D.化学气相沉积掺杂

13.以下哪种光刻胶类型对紫外光敏感

A.正性光刻胶

B.负性光刻胶

C.化学增幅光刻胶

D.以上都不对

14.在集成电路制造中，用于形成栅极的材料通常是

A.硅

B.二氧化硅

C.金属

D.多晶硅

15.集成电路制造工艺中，刻蚀的选择比是指

A.刻蚀速率与光刻胶去除速率之比

B.不同材料刻蚀速率之比

C.刻蚀速率与氧化速率之比

D.光刻图形尺寸与刻蚀图形尺寸之比

16.以下哪种工艺可以用于降低集成电路的功耗

A.缩小器件尺寸

B.增加金属互连层数

C.提高掺杂浓度

D.采用厚氧化层

17.集成电路制造中，用于存储数据的器件是

A.晶体管

B.电容

C.电阻

D.电感

18.化学气相沉积工艺中，气体的流量对沉积薄膜的

A.厚度有影响

B.成分有影响

C.均匀性有影响

D.以上都是

19.在集成电路制造中，用于检测芯片性能的工艺是

A.光刻

B.测试

C.掺杂

D.刻蚀

20.集成电路制造工艺中，光刻胶的曝光剂量过大会导致

A.图形分辨率提高

B.图形分辨率降低

C.光刻胶与硅片附着力增强

D.光刻胶去除困难

第Ⅱ卷（非选择题，共60分）

1.简答题（共20分）

-（1）简述集成电路制造中光刻工艺的基本流程。（5分）

u光刻工艺基本流程包括涂胶，将光刻胶均匀涂覆在硅片表面；前烘，去除光刻胶中的溶剂使其干燥；曝光，用特定波长光照射光刻胶，使其发生化学反应；显影，去除未曝光的光刻胶；坚膜，进一步固化光刻胶，增强其抗刻蚀能力。/u

-（2）说明化学气相沉积（CVD）工艺在集成电路制造中的作用及常用的CVD技术有哪些。（5分）

uCVD工艺在集成电路制造中用于形成各种薄膜，如绝缘层、半导体层等。常用的CVD技术有常压化学气相沉积（APCVD）、低压化学气相沉积（LPCVD）、等离子体增强化学气相沉积（PECVD）等。APCVD沉积速度快但均匀性差，LPCVD均匀性好，PECVD可在较低温度下沉积且膜质较好。/u

-（3）解释集成电路制造中掺杂工艺的目的和常用的掺杂方法。（5分）

u掺杂工艺目的是改变半导体的电学性能，如形成N型或P型半导体。常用的掺杂方法有离子注入，可精确控制掺杂剂量和位置；扩散，通过高温使杂质原子在半导体中扩散；化学气相沉积掺杂，在沉积薄膜过程中同时掺入杂质。/u

-（4）简述干法刻蚀和湿法刻蚀的原理及各自的优缺点。（5分）

u干法刻蚀利用等离子体中的活性粒子与被刻蚀材料反应来去除材料。优点是分辨率高、选择性好、对硅片损伤小。湿法刻蚀利用化学溶液与被刻蚀材料发生化学反应来去除材料。优点是设备简单、成本低，缺点是分辨率低、选择性差、对硅片损伤大。/u

2.讨论题（共20分）

-（1）随着集成电路制造技术的不断发展，光刻技术面临哪些挑战？如何应对这些