探索ZnO_In薄膜制备工艺与光电性能关联及应用潜力.docx

探索ZnO:In薄膜制备工艺与光电性能关联及应用潜力

一、引言

1.1研究背景

在半导体材料的蓬勃发展进程中，氧化锌（ZnO）凭借其独特且优异的光电性能，在众多领域中展现出了巨大的应用潜力，吸引了科研工作者们广泛而深入的关注。ZnO作为一种直接带隙的宽禁带半导体材料，室温下其禁带宽度可达3.37eV，激子束缚能更是高达60meV。这些出色的物理特性，使得ZnO在光电器件领域如太阳能电池、光电探测器、发光二极管以及场效应晶体管等方面，发挥着至关重要的作用。例如在太阳能电池中，ZnO薄膜可作为透明导电电极或窗口层材料，其高透光率和良好的电学性能有助于提高太阳能电池的光电转换效率