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基横模高功率垂直腔面发射激光器研究

摘要

本文聚焦于基横模高功率垂直腔面发射激光器（VCSEL）展开深入研究。阐述了VCSEL的基本结构、性能参数及工作原理，对基横模VCSEL进行了理论分析，探讨其模式形成机制与关键影响因素。详细介绍了实现基横模高功率输出的关键工艺，如外延结构设计、氧化限制技术、表面微结构制作等，并对相关研究成果进行了总结与分析。通过对基横模高功率VCSEL的研究，为其在光通信、光传感、激光雷达等领域的广泛应用提供理论与技术支持。

关键词

垂直腔面发射激光器；基横模；高功率；模式控制；工艺研究

一、引言

垂直腔面发射激光器（Vertical-CavitySurface-EmittingLaser，VCSEL）自问世以来，凭借其独特的结构和性能优势，在众多领域展现出巨大的应用潜力。与传统边发射激光器相比，VCSEL具有体积小、阈值电流低、转换效率高、纵模单一性好、输出光斑呈圆形且易于在片测试和集成等显著优点。这些特性使得VCSEL在光通信、光传感、显示技术、激光雷达以及芯片级原子微系统等领域得到了广泛应用。

在光通信领域，随着数据传输速率的不断提升以及对通信距离和可靠性要求的日益严格，对高性能光源的需求愈发迫切。多模VCSEL虽在短距离高速光通信中具有成本低、能耗小等优势，但随着数据速率超过100Gbps，其模式色散、带宽限制和信号噪声等问题逐渐凸显，难以满足更高要求。基横模VCSEL由于具有更高的光谱纯度、相干性、更窄的线宽以及更好的波长稳定性，在长距离光信息传输中不受色散影响，成为实现高速、大容量光通信的理想光源之一。

在光传感领域，例如在芯片级原子钟、磁力计和陀螺仪等应用中，对光源的模式稳定性和波长准确性要求极高。基横模VCSEL能够提供稳定且精确的光信号，有助于提高传感系统的精度和可靠性，对于新一代低功耗芯片级原子微系统的发展具有重要意义。

然而，实现基横模高功率输出一直是VCSEL研究领域的关键难题。在实际的VCSEL器件中，由于横向谐振腔尺寸较大，反射面和有源区并非理想平面，注入载流子分布不均以及有源区存在热透镜效应等多种因素的综合影响，使得器件难以实现基横模输出。此外，多横模工作不仅会导致模式间的竞争，严重影响器件的开关和传输特性，还会使高阶模式吸收大量电流，降低基横模的注入效率和驰豫振荡频率，进而限制器件的本征带宽。同时，基横模的输出功率通常较小，难以在光通信等领域克服固有损耗实现长距离传输。因此，开展基横模高功率垂直腔面发射激光器的研究具有重要的理论意义和实际应用价值。

二、垂直腔面发射激光器的基本原理

2.1基本结构

垂直腔面发射激光器的结构主要由三部分组成：底部分布式布拉格反射镜（DBR）、有源区和顶部DBR。底部DBR和顶部DBR构成了光学谐振腔，用于提供光反馈，使光在腔内来回反射，增强光与有源区的相互作用。DBR通常由多层不同折射率的半导体材料交替生长而成，通过设计各层材料的厚度和折射率，可以精确控制DBR的反射率和反射带宽。

有源区是实现受激辐射产生激光的核心区域，一般由多个量子阱组成。量子阱的设计对于激光器的性能至关重要，通过调整量子阱的阱宽、势垒宽度以及材料组分，可以优化激光器的激射波长和材料增益。例如，对于940nm波长的VCSEL，可采用In_{0.18}Ga_{0.82}As应变补偿量子阱，将量子阱阱宽设计为6nm，势垒宽8nm，以满足其低阈值激射条件，并使激射波长接近目标值。

在有源区上方通常设置有氧化限制层，如Al_{0.98}Ga_{0.02}As层，通过对该层进行氧化处理，可以形成氧化限制孔。氧化限制孔的作用是限制电流和光场的分布，使电流和光场集中在有源区的中心区域，从而提高激光器的效率和模式稳定性。

2.2性能参数

2.2.1阈值电流

阈值电流是指激光器开始产生受激辐射所需的最小注入电流。阈值电流的大小直接影响着激光器的功耗和工作效率。VCSEL的阈值电流相对较低，这是其重要优势之一。阈值电流的大小与有源区的结构、材料质量、量子阱的设计以及DBR的反射率等因素密切相关。例如，通过优化量子阱的设计，减小量子阱中的非辐射复合中心，以及提高DBR的反射率，都可以有效降低阈值电流。

2.2.2输出功率

输出功率是衡量激光器性能的重要指标之一。对于基横模高功率VCSEL，追求高输出功率是研究的关键目标之一。输出功率受到多种因素的制约，包括有源区的增益特性、电流注入效率、光场分布以及器件的散热性能等。在实际应用中，需要通过合理设计器件结构和工艺，提高有源区的增益，优化电流注入方式，改善光场分布，以及加强散热措施等手段，来提高激光器的输出功率。

2.2.3激射波长