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2003/10/13中纬积体电路（宁波）有限公司SinoMOSSemiconductor(Ningbo)Inc.168.M1AEI-CD(ALSICU/TIW:S60ONLY)169.PEOXIDEDeposition(ND6200;3000ang)---作为IMD的一层，我们用SOG作平坦介质，但SOG吸水，使用PEOX包着SOG，防止吸水。方法：采用PECVD法，通入N2O+SiH4生成SiO2+N2H2机台：Novellus,ND6200170.SOGCOATING(3150ANG）--作为IMD中的一层，平坦化作用。VAC-Bake的目的是去除SOG中的水气，用SOGcuring固化。使用的是Siloxane型SOG,比较容易吸水，分两次成长。机台：SOG171.SOGCOATING(3150ANG/RECIPE-6);THESECONDCOATING172.VAC-BAKEINOBMAFTERSOGCOATING173.SOGCURING(420DEG,7F1/7F2)N-WELLP-WELLFOXMetal-1BPSGPE-OxidePOLYPOLYN+N+P+P+PTYPESubstrateSOG174.PEOXIDEdeposition5000ang175-202Metal-2Deposition175.ScrubbercleanforND62005000APEOXIDE/PROG.8176.PRcoat(V3;TK=1.55u;SVG=151)N-WELLP-WELLFOXMetal-1BPSGPE-OxidePOLYPOLYN+N+P+P+PTYPESubstrateSOGPE-Oxide177.VIALAYERALIGNMENTEXPOSURE(178)FOCU+(-0.5um)(1.0um:AEXV11;0.8um:AEXV12)178.DEVPR(MF320;VIA;V3;SVG=31;TEL=3)179.VIAADICDmeasurement(spec+-0.12um)(spec1.2+-0.12(1.2))180.ADIOVERLAYCHECK(+-0.25;0.8CMOS;VIA)(1.0um:MADV11;0.8um:MADV12)181.ADIDUMMYORWAITINGCHILDLOTTOMERGE182.HardbakeN-WELLP-WELLFOXMetal-1BPSGPE-OxidePOLYPOLYN+N+P+P+PTYPESubstrateSOGPE-Oxide183.Descum(MTX1,MTX2:descum)184.VIAwet-etch(SOG;Tox=3000angbeingetch)---185.VIAWETETCHAFTERETCHToxMEASURE186.Hardbake(118C35min)N-WELLP-WELLFOXMetal-1BPSGPE-OxidePOLYPOLYN+N+P+P+PTYPESubstrateSOGPE-Oxide187.VIAdry-etch(590BC,8310AB:VIA;4520AB:1780)188.After-ecthinspection189.Ashing(PSC:VIA,PASSVATION)190.PRstripping(EKC830)---PSC+EKCN-WELLP-WELLFOXMetal-1BPSGPE-OxidePOLYPOLYN+N+P+P+PTYPESubstrateSOGPE-Oxide191.After-etchinspection192.VAC-BAKEINOBMBEFOREMET-2SPUT(SILOXANE:58min)---烘干因开Via后,吸收水气的SOG机台：OBM193.AM:metal-2PRE-SPUTETCH+TiWfilm194.BT:Metal-2sputterforAl-Si-Cu9000ANGN-WELLP-WELLFOXMetal-1BPSGPE-OxidePOLYPOLYN+N+P+P+
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