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2026年电子行业研发工程师面试题集及答案

一、基础知识题（共5题，每题8分，总分40分）

题目1（8分）

简述CMOS电路中，nMOS和pMOS管的基本工作原理及其在逻辑门中的应用。请分别说明在静态功耗和动态功耗方面的差异。

题目2（8分）

解释什么是亚阈值摆率（SubthresholdSwing,SS）及其在低功耗设计中的重要性。试述如何通过电路设计优化亚阈值摆率。

题目3（8分）

描述片上系统（SoC）设计中，总线仲裁（BusArbitration）的基本机制。请举例说明在多主控系统中常见的仲裁策略及其优缺点。

题目4（8分）

分析射频（RF）电路设计中，阻抗匹配（ImpedanceMatching）的重要性。请列举三种常用的阻抗匹配网络及其适用场景。

题目5（8分）

阐述电源完整性（PowerIntegrity,PI）设计中的关键问题，包括电压下降（IRDrop）和地弹（GroundBounce）。请说明如何通过仿真工具进行PI分析。

二、电路设计题（共3题，每题15分，总分45分）

题目6（15分）

设计一个低噪声放大器（LNA），要求中心频率为2.4GHz，增益为10dB，输入回波损耗（S11）小于-10dB，噪声系数（NF）小于2dB。请画出电路拓扑结构，标注关键元件参数，并说明选择这些参数的原因。

题目7（15分）

设计一个5V转3.3V的LDO稳压器，要求输出电流为500mA，压差为1V，负载调整率小于0.5%。请说明选择关键元件（如LDO控制器、电感、电容）的依据，并画出简化电路图。

题目8（15分）

设计一个高速比较器，要求转换速率（SlewRate）大于2V/μs，输入失调电压小于5mV。请说明如何通过电路结构优化来提高比较器的性能，并画出关键电路模块。

三、模拟电路设计题（共2题，每题20分，总分40分）

题目9（20分）

设计一个基于运放的仪表放大器（InstrumentationAmplifier,INA），要求输入阻抗大于1MΩ，共模抑制比（CMRR）大于100dB，增益可调范围1-1000。请画出电路图，说明关键元件选择，并分析其性能指标。

题目10（20分）

设计一个压控振荡器（VCO），要求中心频率为1GHz，频率调谐范围±20%，线性行为（PhaseNoise）优于-100dBc/Hz（在1MHz偏移处）。请说明如何通过电路设计优化VCO的性能，并画出关键结构。

四、数字电路设计题（共3题，每题15分，总分45分）

题目11（15分）

设计一个串行到并行转换器（Serial-to-ParallelConverter,SPC），输入数据率为100Mbps，要求有4位并行输出。请说明时钟分配策略，并画出关键控制逻辑电路。

题目12（15分）

设计一个有限状态机（FiniteStateMachine,FSM），用于控制一个USB2.0数据收发器。请画出状态转移图，说明关键控制信号，并描述其工作流程。

题目13（15分）

设计一个低功耗SRAM单元，要求在静态功耗模式下漏电流小于1μA。请说明如何通过电路结构优化（如多栅极技术）来降低静态功耗，并画出关键电路结构。

五、射频电路设计题（共2题，每题20分，总分40分）

题目14（20分）

设计一个50MHz-6GHz的带通滤波器（BandpassFilter,BPF），要求中心频率为2.4GHz，带宽为80MHz，插入损耗小于1.5dB，带外抑制大于40dB。请说明选择滤波器类型（如LC、SAW）的依据，并画出关键电路结构。

题目15（20分）

设计一个5GHz的频率合成器（FrequencySynthesizer），要求频率步进为1MHz，输出相位噪声优于-100dBc/Hz。请说明锁相环（PLL）的关键组成部分，并描述其工作原理。

六、电源完整性设计题（共2题，每题20分，总分40分）

题目16（20分）

设计一个片上电源网络（On-ChipPowerNetwork,OCPN），要求为处理器核心提供1A电流，压差小于5%。请说明如何通过电源分配网络（PDN）的布局优化来降低IRDrop，并画出关键布局示意图。

题目17（20分）

设计一个去耦电容（DecouplingCapacitor）网络，要求为芯片提供200mA瞬态电流，电容等效串联电感（ESL）小于10nH。请说明如何选择不同容值的电容组合，并画出关键布局示意图。

七、嵌入式系统设计题（共2题，每题20分，总分40分）

题目18（20分）

设计一个基于ARMCortex-M4的实时控制器，要求支持PWM输出、ADC采样和串口通信。请说明系统时钟分配策略，并画出关键外设连接图。

题目19