深度解析(2026)《GBT 42905-2023碳化硅外延层厚度的测试红外反射法》.pptxVIP

深度解析(2026)《GBT 42905-2023碳化硅外延层厚度的测试红外反射法》.pptx

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《GB/T42905-2023碳化硅外延层厚度的测试红外反射法》(2026年)深度解析;

一二三四五六七八九十一专家视角前瞻：为何红外反射法能成为第三代半导体碳化硅外延层厚度测量的“黄金准则”？深度剖析其核心地位与不可替代性

（一）从光谱到厚度：红外反射法的基本原理及其与碳化硅材料特性的完美契合

红外反射法的核心是利用光在异质界面（如外延层与衬底间）发生的干涉效应。当红外光垂直入射外延层表面时，会在表面与衬底界面分别反射，形成相干光。碳化硅半导体材料在特定红外波段具有高透过性，这为干涉现象的发生提供了可能。通过测量反射光谱的干涉周期，即可精确反演出外延层的厚度，该方法完美契合了

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