Ⅲ族氮化物半导体异质结构：生长机制、特性解析与应用拓展.docx

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2026-01-13 发布于上海
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Ⅲ族氮化物半导体异质结构：生长机制、特性解析与应用拓展

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代电子学的蓬勃发展进程中，半导体材料始终占据着举足轻重的地位，从早期的第一代半导体硅（Si）、锗（Ge），到第二代的砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP），再到如今备受瞩目的以Ⅲ族氮化物为代表的第三代半导体，每一次材料的革新都极大地推动了电子器件性能的飞跃，引发了电子信息产业的深刻变革。Ⅲ族氮化物半导体主要涵盖氮化镓（GaN）、氮化铝（AlN）、氮化铟（InN）及其合金材料如铝镓氮（AlGaN）、铟镓氮（InGaN）等，它们具备一系列卓越的物理性质，例如宽禁带、高击穿电场、高电子迁移率以及出色的