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微电子工艺学试卷(A卷)及参考答案

姓名：__________考号：__________

题号

一

二

三

四

五

总分

评分

一、单选题(共10题)

1.在半导体物理中，什么是载流子的基本运动形式？()

A.热运动

B.晶格振动

C.集中扩散

D.自由扩散

2.MOS晶体管中的沟道区是由什么决定的？()

A.源极与衬底之间的电压

B.漏极与衬底之间的电压

C.源极与漏极之间的电压

D.衬底掺杂浓度

3.硅衬底在N型掺杂后，其载流子类型主要是什么？()

A.电子

B.空穴

C.振子

D.中子

4.在集成电路制造过程中，光刻技术的主要目的是什么？()

A.提高电阻率

B.形成电路图案

C.降低电导率

D.增加掺杂浓度

5.MOSFET晶体管的工作区不包括以下哪个区域？()

A.饱和区

B.倒置区

C.放大区

D.空载区

6.硅晶体在哪个温度范围内可以发生晶体生长？()

A.1000°C-1500°C

B.1500°C-2000°C

C.2000°C-2500°C

D.2500°C-3000°C

7.在CMOS工艺中，PMOS晶体管的源极和漏极连接方式是？()

A.源极接地，漏极接正电源

B.源极接正电源，漏极接地

C.源极和漏极都接地

D.源极和漏极都接正电源

8.IC制造中，硅片的厚度一般为多少微米？()

A.10-30微米

B.30-100微米

C.100-200微米

D.200-500微米

9.MOS晶体管的阈值电压Vth增加时，晶体管将？()

A.导通

B.截止

C.电流增大

D.电流减小

10.在IC制造过程中，化学气相沉积(CVD)主要用于做什么？()

A.晶体生长

B.形成薄膜

C.溶解杂质

D.去除氧化物

二、多选题(共5题)

11.以下哪些是影响MOSFET晶体管阈值电压的因素？()

A.源漏电压

B.沟道长度

C.沟道掺杂浓度

D.沟道厚度

12.在IC制造过程中，光刻技术中使用的光刻胶具有以下哪些特性？()

A.光敏性

B.热稳定性

C.化学稳定性

D.机械强度

13.以下哪些是半导体物理中常见的半导体材料？()

A.硅

B.锗

C.钙钛矿

D.铝

14.在CMOS工艺中，以下哪些步骤是制造N型和P型晶体管的基础？()

A.源极和漏极的形成

B.沟道掺杂

C.衬底掺杂

D.源极和漏极的连接

15.以下哪些是影响集成电路集成度的因素？()

A.集成电路的尺寸

B.集成电路的复杂度

C.集成电路的功耗

D.集成电路的可靠性

三、填空题(共5题)

16.MOSFET晶体管中的阈值电压Vth是指当栅源电压达到一定值时，晶体管从截止区进入_______区的电压。

17.在IC制造过程中，光刻技术中使用的光刻胶在曝光前应保持_______，以确保曝光效果。

18.硅晶体生长过程中，常用的外延生长方法有_______和_______。

19.在集成电路设计中，为了减小电路的功耗，常采用_______技术。

20.MOSFET晶体管的源极和漏极之间的电压达到一定值后，晶体管将进入_______区，此时电流随电压变化不大。

四、判断题(共5题)

21.MOSFET晶体管的阈值电压Vth随着温度的升高而降低。()

A.正确B.错误

22.在IC制造过程中，光刻胶的感光性越强，其分辨率越高。()

A.正确B.错误

23.硅晶体生长过程中，直拉法（Czochralski法）的晶体生长速度比区熔法（FloatingZone法）快。()

A.正确B.错误

24.MOSFET晶体管中的漏极电流与源极电压无关。()

A.正确B.错误

25.在集成电路设计中，降低晶体管的阈值电压可以减少电路的功耗。()

A.正确B.错误

五、简单题(共5题)

26.请简述MOSFET晶体管的工作原理。

27.在光刻工艺中，光刻胶的作用是什么？

28.为什么在集成电路设计中，晶体管的阈值电压不宜设置得过高？

29.简述集成电路制造过程中，化学气相沉积(CVD)技术的应用。

30.为什么硅衬底在N型掺杂后会形成N型外延层？

微电子工艺学试卷(A卷)及参考答案

一、单选题(共10题)

1.【答案】C

【解析】载流子的基本运动形式是集中