半导体器件仿真：半导体物理基础_（5）.半导体晶体生长与外延技术.docx

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2026-01-12 发布于辽宁
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半导体晶体生长与外延技术

引言

半导体器件的性能和可靠性在很大程度上取决于其材料的质量。而半导体材料的质量又与其制备工艺密切相关。在半导体材料制备过程中，晶体生长和外延技术是两个关键步骤。晶体生长是指从熔体或气态中形成单晶半导体材料的过程，而外延技术则是在已有的单晶衬底上生长一层或多层高质量的单晶薄膜。本节将详细介绍这两种技术的原理、方法和应用。

半导体晶体生长技术

1.晶体生长的基本原理

晶体生长是将熔融的半导体材料冷却并结晶成单晶的过程。单晶材料在结构上具有高度的有序性和均匀性，这对于半导体器件的性能至关重要。晶体生长的基本原理包括以下几个方面：