半导体器件仿真：半导体物理基础_（17）.低温半导体物理基础.docx

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低温半导体物理基础

低温下的半导体能带结构

在低温条件下，半导体材料的能带结构会受到显著的影响。能带结构是描述半导体材料中电子能级分布的重要模型，包括导带、价带和禁带。在高温下，能带结构的变化较为平缓，但在低温下，能带结构的细微变化会对器件性能产生重要影响。

能带结构的温度依赖性

半导体材料的能带结构随温度的变化主要体现在以下几个方面：

禁带宽度（Eg）的变化：禁带宽度会随着温度的降低而增大。这是由于在低温下，晶格振动减弱，电子-声子相互作用减弱，导致价带顶和导带底之间的能量差增大。禁带宽度的温度依赖性可以用以下经验公式描述：

E

其中，Eg0是绝对零