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2026半导体工艺工程师校招试题及答案

一、单项选择题（每题2分，共20分）

1.以下哪种工艺用于在半导体表面形成绝缘层？

A.光刻B.氧化C.蚀刻D.掺杂

答案：B

2.MOSFET中，控制沟道电流的极是？

A.源极B.漏极C.栅极D.衬底

答案：C

3.半导体晶圆最常用的材料是？

A.硅B.锗C.砷化镓D.氮化镓

答案：A

4.光刻工艺中，用于复制图案的模板叫？

A.晶圆B.光刻胶C.掩膜版D.刻蚀液

答案：C

5.离子注入工艺的主要目的是？

A.形成绝缘层B.改变半导体导电性C.去除表面杂质D.抛光晶圆

答案：B

6.CMP工艺的作用是？

A.化学刻蚀B.物理沉积C.表面平坦化D.掺杂

答案：C

7.半导体中，N型掺杂通常使用？

A.硼B.磷C.铝D.铟

答案：B

8.下列哪种气体常用于半导体工艺的刻蚀？

A.氮气B.氢气C.氯气D.氧气

答案：C

9.半导体器件制造中，清洗晶圆的主要目的是？

A.去除表面有机物和颗粒B.改变表面平整度C.注入杂质D.沉积薄膜

答案：A

10.以下哪种薄膜沉积方法属于物理气相沉积？

A.CVDB.PVDC.ALDD.MOCVD

答案：B

二、多项选择题（每题2分，共20分）

1.半导体工艺中的光刻步骤包括？

A.涂覆光刻胶B.曝光C.显影D.烘焙

答案：ABCD

2.影响离子注入效果的因素有？

A.离子能量B.离子剂量C.注入角度D.晶圆温度

答案：ABCD

3.半导体工艺常用的气体有？

A.氩气B.氦气C.硅烷D.氨气

答案：ABCD

4.以下属于半导体工艺设备的有？

A.光刻机B.刻蚀机C.离子注入机D.化学气相沉积设备

答案：ABCD

5.MOSFET的主要参数有？

A.阈值电压B.跨导C.漏源击穿电压D.沟道长度

答案：ABCD

6.半导体制造中的污染来源有？

A.人体B.工艺气体C.设备D.化学试剂

答案：ABCD

7.氧化工艺可分为？

A.干氧氧化B.湿氧氧化C.水汽氧化D.等离子体氧化

答案：ABC

8.薄膜沉积工艺的主要目的有？

A.形成导电层B.形成绝缘层C.保护晶圆表面D.改变晶圆颜色

答案：ABC

9.改善半导体器件性能的方法有？

A.优化工艺参数B.选择合适材料C.改进器件结构D.增加生产成本

答案：ABC

10.半导体工艺中的清洗方法有？

A.湿法清洗B.干法清洗C.超声波清洗D.等离子体清洗

答案：ABCD

三、判断题（每题2分，共20分）

1.光刻工艺可以精确控制半导体器件的尺寸。（√）

2.离子注入后不需要退火处理。（×）

3.半导体工艺中，温度对工艺结果没有影响。（×）

4.二氧化硅是一种常用的半导体绝缘材料。（√）

5.刻蚀工艺只去除不需要的半导体材料。（√）

6.化学气相沉积只能沉积金属薄膜。（×）

7.P型半导体的多数载流子是电子。（×）

8.清洗晶圆可以使用普通自来水。（×）

9.封装是半导体器件制造的最后一道工序。（√）

10.MOSFET是一种双极型晶体管。（×）

四、简答题（每题5分，共20分）

1.简述光刻工艺的基本原理。

答案：光刻是通过光刻胶将掩膜版上的图案转移到晶圆表面。先涂光刻胶，经曝光使光刻胶发生化学变化，再用显影液溶解部分光刻胶，留下图案，后续可进行刻蚀等操作复制图案。

2.离子注入后为什么要进行退火处理？

答案：离子注入会损伤晶格结构。退火可修复晶格损伤，使注入离子进入晶格正确位置并激活，恢复半导体材料的电学性能，提高器件性能和稳定性。

3.简述化学气相沉积（CVD）的特点。

答案：CVD可在较低温度下沉积，能精确控制薄膜成分和厚度，可实现大面积均匀沉积，能沉积各种材料薄膜，如绝缘、导电、半导体薄膜等。

4.半导体工艺中清洗的重要性体现在哪？

答案：清洗可去除晶圆表面有机物、颗粒、金属杂质等污染物，避免影响后续工艺和器件性能，保证器件的电学性能、可靠性和良率，提高生产效率和产品质量。

五、讨论题（每题5分，共20分）

1.讨论半导体工艺小型化面临的挑战。

答案：半导体工艺小型化面临光刻分辨率极限、量子效应影响器件性能、散热困难、工艺复杂度增加导致成本上升、良品率降低等挑战，需不断研发新技术应对。

2.如何提高半导体器件的良品率？

答案：提高工艺稳定性，严格控制工艺参数，加强设备维护与校准；优化设计，减少设计缺陷；