反应磁控溅射法制备氮化铝压电薄膜及其性能表征研究.docx

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反应磁控溅射法制备氮化铝压电薄膜及其性能表征研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代科技飞速发展的背景下,电子器件正朝着微型化、高频率、高性能以及高可靠性的方向迈进,这一趋势对电子材料与器件的性能提出了极为严苛的要求。氮化铝(AlN)压电薄膜作为一种关键的功能材料,凭借其一系列优异的特性,在众多领域展现出了巨大的应用潜力,尤其是在高频声波谐振器领域,发挥着不可或缺的作用。

高频声波谐振器是现代通信、雷达、电子对抗等系统中的核心部件,其性能的优劣直接影响着整个系统的工作效率和性能表现。在通信领域,随着5G乃至未来6G通信技术的发展,对通信设备的频率带宽、信号处理能力以及通信质量提出

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