- 1、本文档内容版权归属内容提供方,所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议,可选择认领,认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传,本站不保证质量和数量令人满意,可能有诸多瑕疵,付费之前,请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形,可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
PAGE1
PAGE1
电磁兼容性问题解决策略
在电磁场仿真中,电磁兼容性(EMC)仿真是一项重要的技术,用于确保电子设备在各种电磁环境中能够正常工作,不会产生或受到电磁干扰。本节将详细介绍电磁兼容性问题的解决策略,包括仿真方法、参数设置、结果分析以及优化策略。
1.电磁兼容性问题概述
电磁兼容性问题主要涉及两类:电磁干扰(EMI)和电磁敏感性(EMS)。EMI是指设备产生的电磁能量对其他设备造成的影响,而EMS是指设备对外部电磁环境的敏感程度。这些问题在设计和开发过程中需要通过仿真来预测和解决。
1.1电磁干扰(EMI)的类型
电磁干扰可以分为传导干扰和辐射干扰两种类型:
您可能关注的文档
- 半导体器件仿真:MOSFET器件仿真_(1).半导体基础理论.docx
- 半导体器件仿真:MOSFET器件仿真_(3).MOSFET工作模式与特性分析.docx
- 半导体器件仿真:MOSFET器件仿真_(4).MOSFET模型介绍.docx
- 半导体器件仿真:MOSFET器件仿真_(5).仿真软件概述与操作.docx
- 半导体器件仿真:MOSFET器件仿真_(6).MOSFET静态特性仿真.docx
- 半导体器件仿真:MOSFET器件仿真_(7).MOSFET动态特性仿真.docx
- 半导体器件仿真:MOSFET器件仿真_(8).MOSFET器件参数提取方法.docx
- 半导体器件仿真:MOSFET器件仿真_(10).MOSFET器件温度效应仿真.docx
- 半导体器件仿真:MOSFET器件仿真_(11).高级MOSFET模型.docx
- 半导体器件仿真:MOSFET器件仿真_(12).MOSFET器件优化设计.docx
原创力文档


文档评论(0)