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微纳图形衬底：解锁高质量非极性GaN外延生长的密码

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料的璀璨星空中，氮化镓（GaN）无疑是一颗耀眼的明星，凭借其宽禁带、高电子迁移率、高热导率以及出色的化学稳定性等卓越特性，在半导体领域占据着举足轻重的地位，成为推动现代科技进步的关键力量。在光电子领域，GaN基发光二极管（LED）彻底革新了照明行业，带来了节能环保的新一代光源，广泛应用于通用照明、汽车照明、显示屏背光源等诸多场景；GaN基激光器则在光通信、光存储、激光显示等领域大显身手，为高速信息传输和高分辨率显示提供了有力支撑。在电力电子领域，GaN基功率器件以其低导通电阻、高开关速度和出色的效率，成为新能源汽车、可再生能源发电、智能电网等领域实现高效电能转换和功率管理的理想选择，有助于显著降低能源损耗，提升系统的整体性能和可靠性。在射频领域，GaN凭借高电子迁移率和饱和速度，使器件能在高频下工作，为5G通信、雷达系统、卫星通信等带来更高效的信号处理能力，满足高速通信需求。

然而，传统在极性c面生长的GaN材料，由于其晶体结构缺乏中心反演对称性，且Ga、N原子电负性差异显著，导致在c方向存在很强的自发极化和压电极化效应。这种极化效应在沿c方向生长的GaN外延层中产生高强度的内建电场，进而引发量子限制STARK效应（QCSE）。这不仅使能带弯曲，能级位置发生变化，导致发光波长红移，还会使电子和空穴波函数交迭变小，造成量子阱发光效率大幅下降，严重制约了GaN基光电器件性能的进一步提升。为了从根本上消除极化效应的不利影响，生长非极性面的GaN材料成为研究的关键方向。非极性GaN，如a面和m面GaN，由于其晶体取向的特殊性，能够有效避免极化效应的产生，从而克服电子空穴空间分离的问题，提高器件的发光效率和其他光电性能。

高质量非极性GaN材料的生长面临着诸多挑战，其中衬底的选择和制备是关键因素之一。常规的衬底材料与非极性GaN之间往往存在较大的晶格失配和热膨胀系数差异，这会导致外延生长过程中产生大量的位错和缺陷，严重影响非极性GaN的晶体质量和性能。微纳图形衬底的出现为解决这一难题提供了新的途径。通过在衬底表面构建精心设计的微纳图形结构，可以有效地调控外延生长的成核过程和晶体生长取向，降低晶格失配和热应力，从而促进高质量非极性GaN的生长。微纳图形衬底还能够对光场和载流子进行有效的调控，进一步提升非极性GaN基器件的性能。研究微纳图形衬底外延高质量非极性GaN具有至关重要的意义，它不仅有助于深入理解GaN材料的生长机理和物理特性，为半导体材料科学的发展提供理论支持，还将为开发高性能的光电器件、电力电子器件和射频器件等开辟新的道路，推动5G通信、新能源汽车、高效照明等众多领域的技术突破和产业升级，对未来科技发展和社会进步产生深远的影响。

1.2国内外研究现状

国外在微纳图形衬底外延高质量非极性GaN的研究起步较早，取得了一系列重要成果。美国、日本、欧洲等国家和地区的多个研究小组在该领域开展了深入研究。美国的一些研究团队利用先进的光刻技术和分子束外延（MBE）方法，在微纳图形衬底上成功外延出了高质量的非极性GaN薄膜，并对其晶体结构、电学和光学性质进行了系统研究，发现通过优化微纳图形的尺寸和形状，可以有效降低位错密度，提高材料的结晶质量。日本的研究人员则侧重于探索不同的衬底材料和图形化工艺，如采用碳化硅（SiC）衬底结合纳米压印光刻技术，制备出具有特殊微纳结构的衬底，实现了非极性GaN的高质量生长，并在非极性GaN基发光二极管的制备方面取得了显著进展，提高了器件的发光效率和稳定性。欧洲的科研机构在研究中注重多学科交叉，将材料科学、物理学和工程学相结合，通过理论模拟和实验验证，深入研究微纳图形衬底与非极性GaN外延层之间的相互作用机制，为进一步优化生长工艺提供了理论依据。

国内的研究团队也在积极开展相关研究，并取得了令人瞩目的成绩。一些高校和科研院所，如中国科学院半导体研究所、清华大学、北京大学等，在微纳图形衬底的制备技术、非极性GaN的外延生长工艺以及器件应用等方面进行了大量的研究工作。中国科学院半导体研究所在图形化蓝宝石衬底上，通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术生长非极性GaN，研究了图形结构对生长过程中位错传播和晶体质量的影响规律，成功降低了位错密度，提高了材料的光学性能。清华大学的研究团队则致力于开发新型的微纳加工技术，制备出具有复杂微纳结构的衬底，实现了非极性GaN的高质量外延生长，并在此基础上制备出高性能的非极性GaN基紫外探测器，展现出良好的应用前景。

当前研究仍存在一些热点和难点问