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NBT掺杂对BaTiO3基PTC陶瓷性能的影响：微观与宏观的探究

一、引言

1.1研究背景

在材料科学不断发展的进程中，陶瓷材料凭借其卓越的性能，如高硬度、高强度、耐高温、耐腐蚀以及良好的绝缘性等，在众多领域得到了极为广泛的应用。从日常生活中的餐具、建筑材料，到高科技领域的电子器件、航空航天部件，陶瓷材料都发挥着不可或缺的作用。在电子器件领域，陶瓷材料因其优良的绝缘性能、优越的热稳定性和高介电常数等特点，成为了制造电子元件的关键材料之一。例如，在电容器、电阻器、电感器等电子元件中，陶瓷材料被广泛用作介质或基体材料，以提高元件的性能和稳定性。

铁电陶瓷材料作为陶瓷材料中的一个重要分支，具有独特的电性能和压电性质。其较高的介电常数使得铁电陶瓷在无线通信领域中发挥着关键作用，被广泛应用于制造滤波器、谐振器等关键部件，以实现信号的高效传输和处理。在传感器领域，铁电陶瓷的压电性质使其能够将机械能转化为电能，从而实现对压力、振动等物理量的精确检测和测量。铁电陶瓷还在储能器件等方面有着广阔的应用前景，为解决能源存储和转换问题提供了新的思路和方法。

BaTiO?基陶瓷作为一种典型的铁电陶瓷材料，具有稳定的晶型和优异的铁电性能，成为了研究的热点之一。其具有的钙钛矿结构使其在居里温度附近展现出显著的铁电相变特性，这种特性使得BaTiO?基陶瓷在电子器件领域具有广泛的应用潜力。然而，纯的BaTiO?陶瓷存在一些性能上的不足，如室温电阻率较高、居里温度不够理想等，限制了其在某些领域的应用。

为了改善BaTiO?基陶瓷的性能，掺杂改性成为了一种重要的研究手段。通过向BaTiO?基陶瓷中引入不同的掺杂剂，可以有效地改变其晶体结构、显微结构和电性能，从而满足不同领域对材料性能的要求。在众多的掺杂剂中，Na?.?Bi?.?TiO?（NBT）因其独特的性质而备受关注。NBT具有较高的居里温度和良好的铁电性能，将其掺杂到BaTiO?基陶瓷中，有望改善BaTiO?基陶瓷的性能，拓展其应用领域。研究NBT掺杂对BaTiO?基PTC陶瓷显微结构和电性能的影响具有重要的理论和实际意义。

1.2研究目的与意义

本研究旨在深入探究NBT掺杂对BaTiO?基PTC陶瓷显微结构和电性能的影响规律。通过系统地研究不同NBT掺杂量下BaTiO?基PTC陶瓷的晶体结构、晶粒尺寸、晶界特性等显微结构特征的变化，以及介电常数、介电损耗、压电性能等电性能参数的改变，揭示NBT掺杂对BaTiO?基PTC陶瓷性能影响的内在机制。

从理论层面来看，深入研究NBT掺杂对BaTiO?基PTC陶瓷性能的影响机制，有助于丰富和完善铁电陶瓷材料的理论体系。通过对晶体结构、缺陷化学等方面的研究，可以进一步深入理解掺杂对材料性能的影响规律，为材料的设计和优化提供坚实的理论依据。这不仅有助于推动铁电陶瓷材料科学的发展，还能够为其他相关领域的材料研究提供有益的借鉴和参考。

在实际应用方面，通过优化NBT掺杂比例，有望显著提升BaTiO?基PTC陶瓷的性能。改善后的陶瓷材料在电子器件领域具有更广阔的应用前景，例如在制作高性能的热敏电阻时，能够提高其温度敏感性和稳定性，使其在温度控制和监测方面发挥更精准的作用；在制作电容器时，能够提高其储能密度和稳定性，满足现代电子设备对小型化、高性能电容器的需求；在传感器领域，能够提高传感器的灵敏度和响应速度，使其能够更快速、准确地检测到各种物理量的变化。这将有助于推动电子器件的升级换代，满足现代科技对高性能材料的迫切需求，促进相关产业的发展。

1.3国内外研究现状

国内外学者对BaTiO?基PTC陶瓷的研究已取得了丰硕的成果。在PTC效应机理方面，Heywang的表面势垒模型、Jenker的铁电补偿修正模型以及J.Danieis的钡缺位模型等理论被广泛认可。Heywang模型认为，在BaTiO?多晶半导体的晶粒边界，由于缺陷及受主杂质的作用，在晶粒表面形成一表面电荷层，相当于在晶粒边界上形成了肖特基势垒，该势垒延伸到耗尽层。这样在居里温度以下时，由于瞬时的极化补偿了表面层负电荷，因此晶界受主态的高电阻特性显示不出来；而在居里温度以上，这种临界极化效应消失了，表面态将产生一较高的势垒，从而使整个PTC陶瓷的电阻急剧增大，产生PTC现象。Jonker模型则认为，在T小于Tc温度，BaTiO?为铁电相，存在自发极化，并形成电畴，电畴在垂直于晶粒表面的方向上产生极化电荷，晶界区的表面电荷会被的电荷部分抵消，也即产生的电荷部分抵消了晶界势垒，导致晶界接触电阻的下降或消失，即产生所谓的“电子通道”使材料的电阻率下降。故在居里点以下，表面势垒消失。此模型可以说是Hey