CN114606795B 一种高绝缘强度间位芳纶-纳米TiO2复合绝缘纸的制备方法 （华北电力大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN114606795B(45)授权公告日2025.07.01

(21)申请号202210076498.4

(22)申请日2022.01.24

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN114606795A

(43)申请公布日2022.06.10

D21H

D21H

D21H

D21H

D21H

H01B

17/67(2006.01)21/52(2006.01)17/69(2006.01)

17/07(2006.01)27/12(2006.01)3/52(2006.01)

(73)专利权人华北电力大学

地址102200北京市昌平区回龙观

(72)发明人律方成朱玫盈宋景萱路修权谢庆阮浩鸥尹盛东葆宗霖

王胜辉常小斌

(74)专利代理机构北京贵都专利代理事务所(普通合伙)11649

专利代理师李新锋

(56)对比文件

CN107163293A,2017.09.15CN112663382A,2021.04.16审查员康素敏

(51)Int.CI.

D21H13/26(2006.01)权利要求书1页说明书6页附图6页

(54)发明名称

一种高绝缘强度间位芳纶/纳米Ti02复合绝缘纸的制备方法

(57)摘要

CN114606795B本发明公开了一种高绝缘强度间位芳纶/纳米Ti02复合绝缘纸的制备方法，属于电工材料技术领域，包括以下步骤：S1:纳米TiO2的多巴胺预处理；S2:纳米Ti02的偶联剂处理；S3:制备高绝缘强度间位芳纶/纳米Ti02复合绝缘纸；本发明通过多巴胺包覆和硅烷偶联剂协同作用改善纳米填料和芳纶纸的结合能力，通过降低体电导率、提升材料载流子陷阱深度的方式，有效提升复合绝缘纸的击穿电压；同时从造纸工业生产的已有工序着手，对这一工序进行了改进，操作简

CN114606795B

纳米Ti02的多巴胺预处理

纳米Ti02的偶联剂处理

制备高绝缘强度间位芳纶/纳米Ti02复合绝缘纸

CN114606795B权利要求书1/1页

2

1.一种高绝缘强度间位芳纶/纳米TiO?复合绝缘纸的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1:纳米TiO?的多巴胺预处理

S11:取TiO?,分散于去离子水中，置于烧杯中，配置0.1mol/L的悬浮液，将悬浮液pH调节到9.0;

S12:将盐酸多巴胺加入至TiO?悬浊液中，在25℃下800r/min搅拌4h;

S13:用去离子水清洗多次后将混合液在1000r/min下离心，60℃下干燥5h后研磨，将得到的纳米粒子记为D-TiO?,备用；

S2:纳米TiO?的偶联剂处理

S21:取KH550溶液、无水乙醇和去离子水，置于烧杯中，在60℃下500r/min搅拌30min,得到混合溶液；

S22:将步骤S1得到的D-TiO?粒子加入混合溶液中，继续在85℃下快速搅拌3h,使其充分接枝；

S23:经过去离子水洗涤、离心、干燥后，得到改性纳米二氧化钛，记为K-TiO?;

S3:制备高绝缘强度间位芳纶/纳米Ti0?复合绝缘纸

S31:取mL超纯水加入打浆机中，将干燥的沉析纤维和短切纤维加入打浆机中，将步骤S2得到的K-TiO?加入打浆机中，缓慢加入羟甲基纤维素分散剂后，设定搅拌速度为1500r/min匀速搅拌20min;

S32:搭建抄纸平台后，在纸页成型器上抄造质量为5g的圆形绝缘纸；

S33:利用平板硫化机和镀铬钨钢模具进行热压，设定热压温度为200℃,压强为100MPa,共热压三次，每次15s,制备高绝缘强度间位芳纶/纳米TiO?复合绝缘纸。

2.根据权利要求1所述的一种高绝缘强度间位芳纶/纳米Ti0?复合绝缘纸的制备方法，其特征在于：所述步骤S11中，TiO?和去离子水的质量体积比为10:400(g:ml)。

3.根据权利要求2所述的一种高绝缘强度间位芳纶/纳米TiO?复合绝缘纸的制备方法，其特征在于：所述步骤S12中，盐酸多巴胺与TiO?的质量比为10:0.5。

4.根据权利要求3所述的一种高绝缘强度间位芳纶/纳米TiO?复合绝缘纸的制备方法，其特征在于：所述步骤S21中，KH550溶液、无水乙醇和去离子水的