English Title Development Report on the National Standardization Project for Silicon Carbide Epitaxial Wafers标准立项修订与发展报告.docxVIP

下载本文档

0
0
约4.12千字
约 4页
2026-01-14 发布于北京
举报
版权申诉

English Title Development Report on the National Standardization Project for Silicon Carbide Epitaxial Wafers标准立项修订与发展报告.docx

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

碳化硅外延片国家标准立项与发展报告

EnglishTitle:DevelopmentReportontheNationalStandardizationProjectforSiliconCarbideEpitaxialWafers

摘要

本报告旨在系统阐述《碳化硅外延片》国家标准立项的背景、目的、核心内容及其对产业发展的战略意义。碳化硅（SiC）作为第三代半导体的核心材料，以其宽禁带、高击穿电场、高热导率等卓越性能，成为支撑新能源汽车、智能电网、轨道交通、5G通信等战略性新兴产业发展的关键基础。然而，长期以来，我国在碳化硅材料领域，尤其是高质量外延片方面，面临国际技术封锁与标准缺失的双重挑战。本报告的立项工作，积极响应了《新材料标准领航行动计划（2018-2020年）》、《新材料产业发展指南》等国家政策号召，旨在填补国内碳化硅外延片产品标准的空白。报告详细说明了标准将规定的产品分类（N型/P型）、核心技术指标（如衬底参数、外延层掺杂浓度与厚度、缺陷密度、表面粗糙度等）、试验方法与检验规则。该标准的制定与实施，将有效规范市场秩序，统一产品质量评价体系，提升国内企业的技术标准化能力与产品竞争力，对打破国外技术壁垒、保障产业链供应链安全、推动我国宽禁带半导体产业实现自主可控和高质量发展具有里程碑式的重要意义。

关键词：碳化硅外延片；第三代半导体；国家标准；宽禁带半导体；标准化技术委员会；材料标准；电力电子；产业升级

Keywords:SiliconCarbideEpitaxialWafer;Third-GenerationSemiconductor;NationalStandard;WideBandgapSemiconductor;TechnicalCommitteeforStandardization;MaterialStandard;PowerElectronics;IndustrialUpgrading

---

正文

一、立项背景与战略意义

碳化硅（SiC）外延片是在碳化硅单晶抛光衬底上，通过化学气相沉积（CVD）等外延生长技术，制备出具有特定导电类型、载流子浓度、厚度及晶体质量的单晶薄膜材料。作为承上启下的关键环节，碳化硅外延材料的质量直接决定了后续功率器件（如MOSFET、SBD、IGBT）的性能、可靠性与成品率，在整个第三代半导体产业链中占据至关重要的战略地位。

从材料特性看，碳化硅作为典型的宽禁带半导体材料，具备禁带宽度大（~3.2eV）、击穿电场高（~3MV/cm）、电子饱和漂移速率高、热导率优异等先天优势。这些特性使其特别适用于制造耐高压、耐高温、高频、高效能的大功率电子器件，完美契合了当前“新能源革命”对电力电子系统提出的高效率、小型化、轻量化迫切需求。因此，碳化硅外延片及其器件在电动汽车电驱电控、车载充电器、光伏逆变器、轨道交通牵引变流器、智能电网、工业电机驱动及白色家电等众多领域展现出不可替代的应用价值与广阔市场前景。

从国家战略层面审视，发展碳化硅材料已成为全球半导体竞争的焦点。以美国为代表的发达国家早已将碳化硅材料列为战略物资，并在中美贸易摩擦前就已对我国实施严格的技术封锁与产品禁运，意图遏制我国在高端电力电子领域的发展。因此，实现碳化硅材料，包括单晶衬底与外延片的自主可控，是摆脱受制于人局面、保障国家能源安全与产业安全的必然选择。我国经过多年持续投入与技术积累，在碳化硅材料领域已取得长足进步，被业界普遍认为是最有可能实现技术追赶乃至国际领先的先进半导体方向之一。

在此背景下，制定《碳化硅外延片》国家标准显得尤为紧迫和必要。国内碳化硅外延片的制备技术发展迅猛，已从实验室研发走向规模化量产。然而，市场缺乏统一、权威的产品技术规范与质量评价标准，导致产品质量参差不齐，上下游企业对接困难，严重制约了产业链的协同发展与整体竞争力的提升。本标准的立项，正是为了响应《新材料标准领航行动计划（2018-2020年）》中关于“建立碳化硅标准”的明确要求，落实《新材料产业发展指南》对宽禁带半导体材料的重点部署，并对应《重点新材料首批次应用示范指导目录（2019年版）》中的关键战略材料条目。通过建立科学、完善的国家标准，可以规范产品的生产、检验、贸易和使用行为，引导产业健康有序发展，提升我国碳化硅外延片产业的整体技术标准化水平，从而有力支撑下游“碳化硅基”大功率器件的研发与应用，推动我国电子材料与器件领域的产业升级和结构调整，为“中国制造2025”和“双碳”战略目标的实现提供坚实的材料基础。

二、标准范围与主要技术内容

本标准旨在为碳化硅外延片产品建立一套完整的技术规范体系。其适用范围明确界定为导电类型为N型和P型的碳化硅外延片，这些产品主要应