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Ge基Ⅲ-Ⅴ族半导体材料与太阳电池器件研究综述

在全球能源转型与碳中和目标的驱动下，高效率、高稳定性的太阳电池技术成为新能源领域的研究热点。其中，Ge基Ⅲ-Ⅴ族半导体材料凭借其优异的光电特性和独特的晶格匹配优势，在高转换效率太阳电池领域占据核心地位。本文将系统梳理Ge基Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的特性、太阳电池器件的结构设计与工作原理，综述其研究进展与应用场景，并探讨当前面临的挑战及未来发展方向。

一、Ge基Ⅲ-Ⅴ族半导体材料特性：从衬底到异质结的优势基础

Ge基Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的核心价值，源于Ge衬底与Ⅲ-Ⅴ族化合物的晶格匹配特性和能级互补性，这为高效太阳电池的构建提供了关键支撑。

1.1Ge衬底的核心优势

锗（Ge）作为Ⅳ族半导体，具有0.67eV的窄禁带宽度，能有效吸收太阳光谱中波长大于1.8μm的红外光，这一特性使其天然适合作为多结太阳电池的底部吸收层。更重要的是，Ge的晶格常数（5.658?）与Ⅲ-Ⅴ族材料中的砷化镓（GaAs，5.653?）几乎完全匹配，晶格失配率仅0.09%，可显著降低异质外延生长时的位错密度，为高质量Ⅲ-Ⅴ族薄膜的制备奠定基础。此外，Ge的热导率（59.9W/(m?K)）高于硅（148W/(m?K)虽低于硅，但远高于多数Ⅲ-Ⅴ族化合物），有助于器件工作时的散热，提升稳定性。

1.2Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的能级互补性

Ⅲ-Ⅴ族化合物（如GaAs、InGaP、GaInNAs等）的禁带宽度可通过组分调节在0.6~2.4eV范围内连续变化，恰好覆盖太阳光谱的主要能量区间（0.3~2.5eV）。例如：

InGaP（禁带宽度1.8~2.2eV）可吸收紫外至蓝绿光；

GaAs（1.42eV）匹配可见光至近红外光；

Ge（0.67eV）则负责吸收长波红外光。

这种能级梯度的组合，能最大限度减少光生载流子的能量损失，为多结太阳电池的高效率提供材料基础。

1.3异质外延生长技术

高质量的Ge基Ⅲ-Ⅴ族异质结是器件性能的前提，目前主流技术包括：

金属有机化学气相沉积（MOCVD）：通过精确控制反应气体（如三甲基镓、砷烷）的流量和温度，实现原子级均匀的薄膜生长，适合大面积制备；

分子束外延（MBE）：在超高真空下通过热蒸发源产生原子束，精准控制薄膜组分和厚度，适合制备复杂异质结构，但成本较高。

为进一步抑制晶格失配导致的位错，研究中常引入缓冲层设计（如GaAs渐变缓冲层），通过逐步释放应力，将位错密度降至10?cm?2以下，满足高效电池的需求。

二、Ge基Ⅲ-Ⅴ族太阳电池器件：结构设计与工作原理

基于Ge基Ⅲ-Ⅴ族材料的太阳电池以多结串联结构为核心，通过分层吸收不同波长的太阳光，实现高转换效率。

2.1典型多结电池结构

目前技术最成熟的是三结太阳电池，以“顶结/中结/底结”的串联结构为例：

顶结：通常采用宽禁带的InGaP（1.8~2.0eV），吸收短波长光（300~650nm），并作为电池的窗口层减少表面复合；

中结：采用GaAs（1.42eV），吸收中波长光（650~870nm），其高载流子迁移率确保高效的电荷输运；

底结：以Ge衬底作为吸收层，吸收长波长光（870~1800nm），同时Ge本身也可作为电池的基底，简化器件结构。

此外，为实现各结间的电流匹配（多结电池效率受限于电流最小的结），需通过调节各层厚度或组分，使各结产生的光电流相等。例如，通过减薄InGaP顶结厚度或增加GaAs中结的光吸收，平衡电流分布。

2.2工作原理

当太阳光照射到电池表面时：

不同波长的光子被对应禁带宽度的结吸收，激发电子-空穴对；

在内建电场（由p-n结形成）作用下，电子和空穴分离并向两极移动；

各结通过隧道结（重掺杂的p?-n?结）串联，实现电压叠加，总输出电压为各结电压之和，从而提高能量转换效率。

这种结构的理论效率可达68%（AM1.5d标准光谱下），远高于单结硅电池的33.7%（Shockley-Queisser极限）。

三、研究进展与应用场景

3.1效率突破与技术演进

Ge基Ⅲ-Ⅴ族多结电池的效率已实现持续突破：

1990年代，三结InGaP/GaAs/Ge电池效率首次突破30%；

2010年后，通过优化界面钝化（如引入AlGaAs窗口层）和电流匹配，效率提升至40%以上；

截至2024年，美国国家可再生能源实验室（NREL）研制的四结InGaP/GaAs/GaInNAs/Ge电池在聚光条件下（1000倍太阳光）效率达到47.1%，创世界纪录。

产业化方面，商用三结电池效率普遍稳定在3