CN114843378B 一种多量子阱基发光二极管及其制备方法 （江西兆驰半导体有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN114843378B(45)授权公告日2025.07.01

(21)申请号202210499766.3

(22)申请日2022.05.09

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN114843378A

(43)申请公布日2022.08.02

(73)专利权人江西兆驰半导体有限公司

地址330000江西省南昌市南昌高新技术

产业开发区天祥北大道1717号

H10H20/01(2025.01)

(56)对比文件

CN112366257A,2021.02.12

US2008144685A1,2008.06.19

审查员吕亚平

(72)发明人程龙郑文杰高虹曾家明胡加辉

(74)专利代理机构南昌旭瑞知识产权代理事务所(普通合伙)36150

专利代理师彭琰

(51)Int.CI.

H10H20/812(2025.01)权利要求书2页说明书12页附图2页

(54)发明名称

一种多量子阱基发光二极管及其制备方法

(57)摘要

CN114843378B本发明公开了一种多量子阱基发光二极管及其制备方法，包括衬底，还包括：依次层叠于衬底之上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层及P型GaN层；其中，多量子阱层包括若干周期交替堆叠的量子阱层和量子垒层，量子阱层依次包括第一量子阱子层、第二量子阱子层及第三量子阱子层，第一量子阱子层设于N型GaN层之上；第一量子阱子层包括第一GaN层以及设于第一GaN层之上的第二GaN层，第一GaN层设于N型GaN层之上；第三量子阱子层包括第一InGaN层以及设于第一InGaN层之上的第二InGaN层，第一InGaN层设于第二量子阱子层之上，本发明能够解决现有技术中低温生长的InGaN

CN114843378B

问题。

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CN114843378B权利要求书1/2页

2

1.一种多量子阱基发光二极管，包括衬底，其特征在于，所述多量子阱基发光二极管还包括：

依次层叠于所述衬底之上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层及P型GaN层；

其中，所述多量子阱层包括若干周期交替堆叠的量子阱层和量子垒层，所述量子阱层依次包括第一量子阱子层、第二量子阱子层及第三量子阱子层，所述第一量子阱子层设于所述N型GaN层之上；

所述第一量子阱子层包括第一GaN层以及设于所述第一GaN层之上的第二GaN层，所述第—GaN层设于所述N型GaN层之上；

所述第三量子阱子层包括第一InGaN层以及设于所述第一InGaN层之上的第二InGaN层，所述第一InGaN层设于所述第二量子阱子层之上，所述第二量子阱子层为In摩尔占比渐变的InGaN薄膜层，所述In摩尔占比为0.01-0.5,且所述In摩尔占比由靠近所述第一量子阱子层一侧向远离所述第一量子阱子层一侧逐渐升高。

2.根据权利要求1所述的多量子阱基发光二极管，其特征在于，所述量子阱层的厚度为2-5nm。

3.根据权利要求1所述的多量子阱基发光二极管，其特征在于，所述第—GaN层、所述第二GaN层、所述第二量子阱子层、所述第一InGaN层及所述第二InGaN层的厚度比为1-2:1:1:4-8:1-2。

4.根据权利要求1所述的多量子阱基发光二极管，其特征在于，所述第一GaN层为恒温生长的GaN薄膜层，生长温度为820-880℃,所述第二GaN层为温度逐渐降低生长的GaN薄膜层，生长温度下降20-50℃。

5.根据权利要求1所述的多量子阱基发光二极管，其特征在于，所述第一InGaN层为恒温生长的InGaN薄膜层，生长温度为750-830℃,所述第二InGaN层为温度逐渐升高生长的InGaN薄膜层，生长温度升高50-100℃。

6.根据权利要求5所述的多量子阱基发光二极管，其特征在于，所述第一InGaN层的In摩尔占比为0.05-0.5,所述第二InGaN层的In摩尔占比为0.05-0.5。

7.根据权利要求1所述的多量子阱基发光二极管，其特征在于，所述量子垒为AlGaN薄膜层，其厚度为8-12nm,Al的摩尔占比为0.01-0.1。

8.一种多量子