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嵌入式PCB封装逆变器方案嵌入式PCB封装介绍

嵌入式PCB封装包括将器件整合到PCB的多层结构中。更小的外形尺寸、允许堆叠无源和有源元件的3D封装、更少的寄生效应和更好的热管理等优势推动了这一发展。将元件嵌入基板组件中的基本概念并不新鲜。它在低功耗或逻辑器件封装中的应用已经达到了很高的成熟度。MicroSIPM封装(来自德州仪器和ATS)和英飞凌的BLADETM封装是利用嵌入式PCB技术的大批量产品的例子。图1显示了使用IGBT的10kW逆变器的简化横截面图。在本研究1中，100微米铜(Cu)箔形成可连接散热器的底板。层压电绝缘但导热性(4.8W/mK)的预浸料层填充了400微米铜周围的垂直和水平间隙，铜充当引线框架，可在其上烧结连接芯片。芯片顶部有一层厚(10-12μm)的铜层。这是在传统铝(Al)顶部金属上所需的额外工艺步骤。用铜电镀填充激光钻孔。顶部的铜轨用于创建顶部布线和触点，并且可以放置其他组件(例如电容器或控制器),就像在常规PCB上一样。如图1所示，可以使用厚铜轨和薄铜轨的组合以及可变的通孔尺寸来优化模块性能。

2.Prepreg200

2.Prepreg200μmCopper400μm

1.Prepreg100μmCopper100μm

图1:10kW嵌入式PCB逆变器横截面(来源：1)

PCB嵌入式WBG器件

电力电子设备(尤其是WBG设备)的PCB嵌入带来了一些独特的挑战：

更高的功率密度需要高效的散热和传输。嵌入式方法的一个限制是用于PCB的传统FR4材料的低热导率(~0.3W/mK)。精心设计的通孔布置可以弥补这一点。铜层压板和层的厚度起着关键作用。较厚的层可以承载更高的电流并更有效地散热，但横向热扩散较高，可能会影响相邻的嵌入式芯片。

不同的热膨胀系数(CTE)会产生应力并导致故障。嵌入A1N等陶瓷基板(周围有Cu层)可以提供与SiC更好的CTE匹配，同时还能实现所需的隔离。使用对称的层压结构(从上到下)也可以改善应力，同时提供双面冷却的方法。

由于WBG可实现高开关频率和转换速率，因此应优化布局以降低寄生电感。电源环路电感LPL(包括共源电感)是开关损耗、电压过冲和传导电磁干扰(EMI)的主要因素。屏蔽外部DCCu层之间的开关节点可以减少辐射EMI。

带有WBG的嵌入式PCB示例

GaNSystems与ATS共同开发的GaNpx⑧封装是一个低电感、小尺寸、低热阻(RTHjc)封装的示例，该封装使用100V和650V节点的GaN芯片，并可选择顶部或底部冷却。

三菱电机2的一个研究小组展示了一种基于SiC的开关单元的3-D集成组装。在这项工作中，作者将两个图腾柱SiCMOSFET以对称排列的方式纳入PCB中。一个新颖的特点是集成了平面输出电感器，使用低温环氧树脂封装在PCB绕组周围。

栅极驱动器也嵌入在开关附近。总共有四层厚(400μm)和四层薄(35μm)Cu层，分别用于驱动器的高电流/热量和细间距布线。与独立的T0247封装相比，嵌入式器件在整个温度范围内的导通电阻(RDSON)方面表现出优异的性能，表明电气和热接触得到改善。在600V和30A下的开关测试显示在高达58kV/ns的dV/dt速率下过冲非常小，证实了3D集成的低寄生电感优势。

集成栅极驱动1200VSiCMOSFET嵌入式PCB电源转换器3由美国弗吉尼亚理工学院电力电子系统中心(CPES)和奥地利ATS州立大学的合作团队开发。ATS基于嵌入式组件封装(ECP?)的PCB技术用于智能手机和医疗设备等各种产品。

CPES使用ATS的嵌入式PCB封装(四层铜层对称排列)基于半桥配置创建了降压、升压和AC-DC转换器。热阻测量显示漏极侧冷却RTHjc为0.17K/W,性能优异。模拟预测功率环路电感仅为2.3nH。如图2所示，准方波(QSW)降压800V至400V、25A转换器在250kHz开关时，VDS过冲比TO-247封装的低5.6倍。

图2:降压转换器开关波形比较(a)嵌入式PCB方法与(b)使

用分立TO-247封装的1200VSiCMOSFET,Vin=800V、Vout=400V和

25A峰值电感电流(来源：3)

英飞凌和SchweizerElectronicAG在PCIM,2023会议上展示了1200VCoolSiCM嵌入式PCB技术。这是基于