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嵌入式PCB封装逆变器方案

嵌入式PCB封装介绍

嵌入式PCB封装包括将器件整合到PCB的多层结构中。更小的外

形尺寸、允许堆叠无源和有源元件的3D封装、更少的寄生效应和更

好的热管理等优势推动了这一发展。将元件嵌入基板组件中的基本概

念并不新鲜。它在低功耗或逻辑器件封装中的应用已经达到了很高的

成熟度。MicroSIPTW装（来自德州仪器和ATS）和英飞凌的BLADE

四封装是利用嵌入式PCB技术的大批量产品的例子。图1显示了使用

IGBT的10kW逆变器的简化横截面图。在本研究1中，100微铜（Cu）

箔形成可连接散热器的底板。层压电绝缘但导热性（4.8W/mK）的预浸

料层填充了400微铜周围的垂直和水平间隙，铜充当引线框架，可

在其上烧结连接芯片。芯片顶部有一层厚（10-1M的铜层。这是在

传统铝（A1）顶部金属上所需的额外工艺步骤。用铜电镀填充激光钻孔。

顶部的铜轨用于创建顶部布线和触点，并且可以放置其他组件（例如

电容器或控制器），就像在常规PCB上一样。如图1所示，可以使用

厚铜轨和薄铜轨的组合以及可变的通孔尺寸来优化模块性能。

2.Prepreg200pm

Copper400pm

.Prepreg100pm

Copper100pm

图1：10kW嵌入式PCB逆变器横截面（来源：1）

PCB嵌入式WBG器件

电力电子设备(尤其是WBG设备)的PCB嵌入带来了一些独特的

挑战：

更高的功率密度需要高效的散热和传输。嵌入式方法的一个限制

是用于PCB的传统FR4材料的低热导率(~0.3W/mK)。精心设计的

通孔布置可以弥补这一点。铜层压板和层的厚度起着关键作用。较厚

的层可以承载更高的电流并更有效地散热，但横向热扩散较高，可能

会影响相邻的嵌入式芯片。

不同的热膨胀系数(CTE)会产生应力并导致故障。嵌入A1N等陶

瓷基板(周围有Cu层)可以提供与SiC更好的CTE匹配，同时还能

实现所需的隔离。使用对称的层压结构(从上到下)也可以改善应力，

同时提供双面冷却的方法。

由于WBG可实现高开关频率和转换速率，因此应优化布局以降低

寄生电感。电源环路电感LPL(包括共源电感)是开关损耗、电压

过冲和传导电磁干扰(EMI)的主要因素。屏蔽外部DCCu层之间的开

关节点可以减少辐射EMI。

带有WBG的嵌入式PCB示例

GaNSystems与ATS共同开发的GaNpx®封装是一个低电感、小

尺寸、低热阻(RTHjc)封装的示例，该封装使用100V和650V节点的

GaN芯片，并可选择顶部或底部冷却。

三菱电机2的一个研究小组展示了一种基于SiC的开关单元的

3-D集成组装。在这项工作中，作者将两个图腾柱SiCMOSFET以对

称排列的方式纳入PCB中。一个新颖的特点是集成了平面输出电感器,

使用低温环氧树脂封装在PCB绕组周围。

栅极驱动器也嵌入在开关附近。总共有四层厚(400M和四层薄

(35Mm)Cu层，分别用于驱动器的高电流/热量和细间距布线。与独立

的T047封装相比,嵌入式器件在整个温度范围内的导通电阻(RDSON)

方面表现出优异的性能，表明电气和热接触得到改善。在600V和30A

下的开关测试显示在高达58kV/ns的dV/dt速率下过冲非常小，证

实了3D集成的低寄生电感优势。

集成栅极驱动1200VSiCMOSFET嵌入式PCB电源转换器3由美

国弗吉尼亚理工学院电力电子系统中心(CPES)和奥地利ATS州立大

学的合作团队开发。ATS基于嵌入式组件封装(ECP®)的PCB技术用

于智能手机和医疗设备等各种产品。

CPES使用ATS的嵌入式PCB封装(四层铜层对称排列)基于半

桥配