原创力文档- 1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
半导体光刻胶研发工程师岗位招聘考试试卷及答案
一、填空题（共10题，每题1分，共10分）
1.光刻胶按曝光波长可分为G线（436nm）、I线（365nm）、______（248nm）、ArF（193nm）及EUV（13.5nm）等。
2.光刻胶的主要组成成分包括树脂、______、溶剂和添加剂。
3.显影分为正性显影（TMAH为主）和______显影（有机溶剂为主）两类。
4.光刻分辨率公式R=k1λ/NA中，λ代表______。
5.底部抗反射层（BARC）的主要作用是减少______。
6.正胶曝光后，曝光区域发生______反应，可溶于显影液。
7.负胶曝光后，曝光区域发生______反应，不溶于显影液。
8.旋涂工艺中，光刻胶膜厚主要由______和旋涂转速决定。
9.刻蚀时，光刻胶与下层材料的______比是关键参数。
10.用于光刻的掩模主要分为______掩模和相移掩模（PSM）。
二、单项选择题（共10题，每题2分，共20分）
1.正胶显影后得到的图形与掩模的关系是（）
A.正像B.负像C.无关D.随机
2.负胶的主要溶解特性是（）
A.曝光区溶解B.未曝光区溶解C.全溶解D.全不溶
3.光刻分辨率与曝光波长的关系是（）
A.成正比B.成反比C.无关D.不确定
4.数值孔径（NA）的含义是（）
A.镜头接收光线的能力B.光刻胶的厚度C.曝光时间D.显影速度
5.光刻胶曝光后的核心化学反应是（）
A.氧化B.还原C.光化学反应D.分解
6.正胶常用的显影液是（）
A.丙酮B.TMAH水溶液C.盐酸D.酒精
7.深紫外光刻胶（DUV）的波长范围是（）
A.365nm-436nmB.248nm-193nmC.13.5nmD.10nm以下
8.EUV光刻的波长是（）
A.193nmB.248nmC.13.5nmD.365nm
9.光刻胶的Tg（玻璃化转变温度）是指（）
A.膜厚变化温度B.树脂从玻璃态到橡胶态的转变温度C.曝光阈值温度D.显影温度
10.光刻后去除光刻胶的工艺是（）
A.刻蚀B.去胶C.沉积D.掺杂
三、多项选择题（共10题，每题2分，共20分）
1.光刻胶的组成成分包括（）
A.树脂B.光敏剂C.溶剂D.添加剂
2.正胶的主要特点有（）
A.曝光区可溶B.图形与掩模一致C.多用于逻辑器件D.分辨率较高
3.负胶的主要特点有（）
A.曝光区交联不溶B.图形与掩模相反C.多用于MEMSD.耐刻蚀性好
4.光刻工艺的关键步骤包括（）
A.涂胶B.软烘C.曝光D.显影
5.影响光刻分辨率的因素有（）
A.曝光波长λB.数值孔径NAC.k1因子D.显影时间
6.EUV光刻胶的技术挑战包括（）
A.灵敏度不足B.缺陷密度高C.稳定性差D.成本高
7.光刻胶添加剂的作用包括（）
A.增感B.流平C.增强粘附D.调节粘度
8.显影的类型包括（）
A.湿法显影B.干法显影C.化学显影D.物理显影
9.抗反射层的类型包括（）
A.底部抗反射层（BARC）B.顶部抗反射层（TARC）C.中间抗反射层D.无抗反射层
10.光刻胶的评价指标包括（）
A.分辨率B.灵敏度C.对比度D.缺陷密度
四、判断题（共10题，每题2分，共20分）
1.正胶曝光后发生交联反应，不溶于显影液。（）
2.光刻分辨率与曝光波长成正比。（）
3.数值孔径（NA）越大，光刻分辨率越高。（）
4.EUV光刻的波长是13.5nm。（）
5.软烘的主要目的是去除光刻胶中的溶剂。（）
6.硬烘的主要目的是增强光刻胶图形的稳定性。（）
7.负胶显影后得到的图形是掩模的负像。（）
8.光刻胶中的溶剂仅起溶解树脂的作用。（）
9.k1因子越小，光刻分辨率越高。（）
10.湿法显影的分辨率比干法显影高。（）
五、简答题（共4题，每题5分，共20分）
1.简述正胶与负胶的核心区别。
2.光刻工艺中软烘和硬烘的作用差异是什么？
3.影响光刻胶分辨率的关键因素及原理是什么？
4.EUV光刻胶的主要技术挑战有哪些？
六、讨论题（共2题，每题5分，共20分）
1.如何平衡光刻胶的灵敏度与分辨率？
2.针对半导体器件小型化趋势，光刻胶研发需重点关注哪些方向？
---
答案部分
一、填空题答案
1.KrF2.光敏剂3.负性4.曝光波长5.反射光干涉（驻波效应）6.光致分解7.光致交联8.旋涂前胶量9.选择10.二元
二、单项选择题答案
1.A2.B3.B4.A5.C6.B7.B8.C9.B10.B
三、多项选择题答案
1.ABCD2.ABCD3.ABCD4.ABCD5.ABC6.ABCD7.ABCD8.AB9.AB10.ABCD
四、判断题答案
1.×2.×3.√4.√5.√6.√7.√8.×9.√10.×
五、简答题答案
1.正胶与负胶核心区别：①曝光反应：正胶曝光区光致分解（
文档评论（0）