三维存储器中多晶硅导电沟道的工艺探索与特性优化研究.docx

三维存储器中多晶硅导电沟道的工艺探索与特性优化研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在信息技术飞速发展的当下，数据量呈爆炸式增长，对数据存储的需求也随之急剧攀升。三维存储器作为新一代存储技术，凭借其高存储密度、小尺寸和低功耗等显著优势，成为了存储领域的研究热点与发展趋势。与传统的二维存储器相比，三维存储器通过在垂直方向上堆叠存储单元，极大地提高了存储密度，有效缓解了因摩尔定律逐渐逼近极限而带来的存储容量提升难题。例如，三星、美光等国际知名半导体企业纷纷加大对三维存储器的研发投入，并取得了一系列重要成果，如三星的V-NAND技术和美光的3DTLCNAND技术，均已实现大规模量产