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探索窄带隙半导体纳米体系：电子结构与光学性质的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在材料科学与光电子学领域，窄带隙半导体纳米体系凭借其独特的物理性质，成为了研究的焦点。随着纳米技术的迅猛发展，人们对纳米材料的研究不断深入，窄带隙半导体纳米体系因其在光电学和电子学方面展现出的巨大潜力，受到了广泛关注。

窄带隙半导体是指带隙宽度小于2eV的半导体材料，其具有高度局域化的价带和导带，电子输运和光学性质明显不同于宽带隙材料。当这些材料形成纳米颗粒、纳米线或量子点等纳米结构时，尺寸的量子限制效应将会深刻影响其电子结构和光学性质，从而产生一系列新的现象和行为。这种由宏观到纳米尺度的转变，为材