海思芯片ESD--Latch-up-测试技术规范V1.docx

海思芯片ESD--Latch-up-测试技术规范V1.docx

  1. 1、本文档内容版权归属内容提供方,所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议,可选择认领,认领后既往收益都归您。。
  2. 2、本文档由用户上传,本站不保证质量和数量令人满意,可能有诸多瑕疵,付费之前,请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形,可联系本站下载客服投诉处理。
  3. 3、文档侵权举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多

ESDLatchUp测试技术规范V1.1

拟制:

审核:

批准:

日期:2019-10-27

历史版本记录

版本

时间

起草/

起草/

内容描述

审核人

批准人

V1.0

2019-

10-27

首次发布

V1.1

2019-

12-04

修改2.3节Latch-Up测试描述。

由于当前进芯实际执行方法严于

JEDEC标准,故将进芯当前实际执

行的测试方法定义为标准;原

JESD定义标准放到附录中仅供参

考。

V1.3

2020-

01-02

ESD-HBM测试方法由3种删减为

2种。不再介绍其中一种稍显复杂

的测试方法,而是介绍测试厂用

的比较多的方法

适用范围:

本规范规

文档评论(0)

chenfang888 + 关注
实名认证
内容提供者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档