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采用铜源漏电极的金属氧化物薄膜晶体管

摘要

平板显示技术对半导体器件的性能要求越来越高，薄膜晶体管（TFT）凭借优秀的性能，很适合

应用于液晶显示技术，随着薄膜晶体管液晶显示器（TFT-LCD）产业逐渐走向成熟，TFT技术也得到

了极大的发展。以铜作为TFT源漏电极材料，有着电阻率低、导热性好、刻蚀性好、抗电迁移好等优

点，有着成为TFT源漏电极的潜力，但是铜电极会扩散到半导体层内，使TFT的性能劣化，导致TFT

阈值电压正向漂移，迁移率降低，亚阈值摆幅增大等后果。目前对于铜源漏电极的研究较少，非常值

得我们进一步研究。本论文主要研究采用铜作为源漏电极的铟