硫系相变材料：结构、光电特性与相变行为的深度解析.docxVIP

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2026-01-13 发布于上海
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硫系相变材料：结构、光电特性与相变行为的深度解析.docx

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硫系相变材料：结构、光电特性与相变行为的深度解析

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代科技飞速发展的进程中，材料科学作为众多技术突破的基石，始终处于前沿探索的核心地带。其中，硫系相变材料以其独特且卓越的性能，在多个关键领域展现出不可或缺的重要性，成为材料科学研究的焦点之一。

从信息技术领域来看，数据存储与处理需求的爆炸式增长，对存储介质的性能提出了严苛要求。硫系相变材料凭借其在晶态与非晶态之间可逆转变的特性，以及相变过程中显著的电阻和光学性质变化，为非易失性存储器的发展开辟了新路径。与传统存储材料相比，基于硫系相变材料的存储器具备更快的读写速度、更高的存储密度和更出色的稳定性，能够有效应对