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2026工艺整合招聘面试题及答案

单项选择题（每题2分，共20分）

1.光刻工艺中，光刻胶的作用是（）

A.保护晶圆B.图案转移C.增加导电性D.散热

2.以下哪种气体常用于化学气相沉积（CVD）工艺？（）

A.氧气B.氮气C.硅烷D.氢气

3.离子注入的主要目的是（）

A.改变晶圆表面粗糙度B.改变晶圆电学性质

C.去除晶圆表面杂质D.增加晶圆硬度

4.清洗工艺的主要作用是（）

A.去除晶圆表面颗粒和杂质B.改变晶圆颜色

C.提高晶圆透明度D.使晶圆表面更光滑

5.化学机械抛光（CMP）的作用是（）

A.去除晶圆表面有机物B.使晶圆表面平整

C.增加晶圆厚度D.提高晶圆韧性

6.以下哪种工艺用于制造晶体管的栅极？（）

A.光刻B.刻蚀C.氧化D.以上都是

7.工艺整合的核心目标是（）

A.降低成本B.提高产量

C.实现各工艺步骤协同优化D.减少设备损耗

8.热退火工艺的作用是（）

A.去除晶圆内部应力B.降低晶圆温度

C.增加晶圆重量D.改变晶圆形状

9.湿法刻蚀和干法刻蚀相比，湿法刻蚀的优点是（）

A.刻蚀精度高B.各向异性好

C.设备成本低D.无化学污染

10.晶圆制造中，常用的衬底材料是（）

A.玻璃B.硅C.铜D.铝

多项选择题（每题2分，共20分）

1.工艺整合中需要考虑的因素有（）

A.工艺顺序B.设备兼容性C.成本D.良率

2.光刻工艺的关键步骤包括（）

A.涂胶B.曝光C.显影D.刻蚀

3.影响化学气相沉积（CVD）质量的因素有（）

A.气体流量B.温度C.压力D.反应时间

4.离子注入过程中可能出现的问题有（）

A.晶格损伤B.杂质分布不均C.注入能量不稳定D.晶圆破裂

5.清洗工艺常用的试剂有（）

A.氢氟酸B.氨水C.过氧化氢D.硫酸

6.化学机械抛光（CMP）的关键参数有（）

A.压力B.转速C.抛光液成分D.抛光垫材质

7.刻蚀工艺可分为（）

A.湿法刻蚀B.干法刻蚀C.等离子刻蚀D.反应离子刻蚀

8.热工艺包括（）

A.氧化B.扩散C.退火D.沉积

9.提高工艺良率的方法有（）

A.优化工艺参数B.加强设备维护

C.严格人员操作规范D.增加检测环节

10.半导体工艺中常用的金属有（）

A.铜B.铝C.金D.银

判断题（每题2分，共20分）

1.光刻工艺只能用于制造晶体管。（）

2.化学气相沉积（CVD）只能沉积绝缘材料。（）

3.离子注入剂量越大，半导体电学性能越好。（）

4.清洗工艺在整个晶圆制造过程中只需要进行一次。（）

5.化学机械抛光（CMP）可以完全消除晶圆表面的粗糙度。（）

6.湿法刻蚀是各向同性刻蚀，干法刻蚀是各向异性刻蚀。（）

7.热退火工艺会降低晶圆的纯度。（）

8.工艺整合只需要考虑工艺本身，不需要考虑设备因素。（）

9.光刻胶在曝光后会发生化学变化。（）

10.半导体工艺中，所有金属都可以作为互连材料。（）

简答题（每题5分，共20分）

1.简述工艺整合的主要任务。

工艺整合主要任务是协调各工艺步骤，确定合理顺序，保证设备兼容，优化工艺参数，控制成本，提高产品良率和性能，实现各环节协同以满足生产要求。

2.光刻工艺的基本原理是什么？

光刻利用光刻胶感光特性，通过掩膜版将设计图案投影到涂有光刻胶的晶圆上，经曝光、显影，光刻胶图案化，为后续刻蚀或离子注入等提供模板。

3.离子注入后为什么需要进行热退火处理？

离子注入会造成晶格损伤和杂质分布不均。热退火可修复晶格损伤，消除应力，使杂质激活并达到合适分布，改善半导体电学性能。

4.化学机械抛光（CMP）的工作原理是什么？

CMP利用抛光液化学作用和抛光垫机械摩擦，在压力和相对运动下，对晶圆表面进行材料去除和抛光，使表面达到平整。

讨论题（每题5分，共20分）

1.讨论在工艺整合中如何平衡成本和良率的关系。

可通过优化工艺参数提高良率，减少废品降低成本；选择性价比高设备和材料；合理安排生产流程，避免不必要工序；加强人员培训，提高操作效率和质量。

2.谈谈光刻工艺中影响图案转移精度的因素。

光刻胶性能、曝光设备精度、掩膜版质量、