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2026工艺整合招聘题库及答案

一、单项选择题（每题2分，共10题）

1.以下哪种属于光刻工艺的关键步骤？

A.显影

B.沉积

C.蚀刻

D.氧化

2.以下哪种设备常用于化学机械抛光？

A.离子注入机

B.光刻机

C.CMP设备

D.刻蚀机

3.硅片表面氧化通常用什么气体？

A.氮气

B.氢气

C.氧气

D.氯气

4.下列哪种薄膜具有良好的绝缘性？

A.金属薄膜

B.多晶硅薄膜

C.二氧化硅薄膜

D.铜薄膜

5.扩散工艺主要是让杂质原子在什么中运动？

A.硅晶体

B.空气

C.水

D.金属

6.湿法蚀刻使用的是？

A.气体

B.液体

C.固体

D.等离子体

7.光刻胶分为？

A.正性和负性

B.干性和湿性

C.快干和慢干

D.薄型和厚型

8.离子注入的主要目的是？

A.改变硅片颜色

B.增加硅片厚度

C.改变半导体电学性质

D.提高硅片硬度

9.化学气相沉积通常在什么环境下进行？

A.低温低压

B.高温低压

C.常温常压

D.高温高压

10.以下哪个是芯片制造的第一道工序？

A.光刻

B.氧化

C.清洗

D.扩散

二、多项选择题（每题2分，共10题）

1.光刻工艺涉及的主要设备有（）

A.光刻机

B.显影机

C.涂胶机

D.刻蚀机

2.薄膜沉积技术包括（）

A.化学气相沉积

B.物理气相沉积

C.液相沉积

D.氧化沉积

3.工艺整合需要考虑的因素有（）

A.设备性能

B.工艺成本

C.产品良率

D.环境影响

4.刻蚀工艺可分为（）

A.干法刻蚀

B.湿法刻蚀

C.高温刻蚀

D.低温刻蚀

5.以下哪些是半导体制造中的常用气体（）

A.氢气

B.氮气

C.氧气

D.氩气

6.硅片清洗的目的是（）

A.去除杂质

B.改善表面平整度

C.提高表面活性

D.增加硅片厚度

7.常用的离子注入元素有（）

A.硼

B.磷

C.砷

D.碳

8.化学机械抛光能实现的效果有（）

A.全局平坦化

B.去除表面缺陷

C.调整薄膜厚度

D.改变材料颜色

9.影响光刻分辨率的因素有（）

A.光源波长

B.光刻胶性能

C.光刻机数值孔径

D.硅片温度

10.工艺整合中的检测手段包括（）

A.电学检测

B.光学检测

C.电子显微镜检测

D.化学分析检测

三、判断题（每题2分，共10题）

1.光刻工艺仅用于芯片制造的前端工序。（）

2.氧化工艺不会改变硅片的厚度。（）

3.离子注入的能量越高，杂质注入的深度越深。（）

4.化学气相沉积只能沉积单一材料的薄膜。（）

5.湿法蚀刻比干法蚀刻的精度更高。（）

6.光刻胶的曝光时间越久越好。（）

7.硅片清洗过程中不会引入新的杂质。（）

8.扩散工艺和离子注入工艺都是为了改变半导体的电学性质。（）

9.物理气相沉积主要是通过化学反应来沉积薄膜。（）

10.工艺整合的目标是提高产品的整体性能和良率。（）

四、简答题（每题5分，共4题）

1.简述光刻工艺的基本流程。

光刻工艺基本流程为：涂胶，在硅片表面均匀涂覆光刻胶；曝光，用光刻机将掩膜版图形转移到光刻胶上；显影，去除曝光或未曝光的光刻胶；坚膜，提高光刻胶与硅片的附着力及抗蚀性。

2.化学机械抛光的作用是什么？

化学机械抛光主要用于实现硅片表面全局平坦化，去除表面微小缺陷，使硅片表面达到极高平整度，以满足多层布线等后续工艺要求，同时可精确调整薄膜厚度。

3.什么是离子注入？

离子注入是将杂质离子在电场中加速，注入到半导体硅片中，精确控制杂质种类、浓度和注入深度，改变半导体局部电学性质的技术，在半导体制造中广泛应用。

4.硅片清洗的重要性有哪些？

硅片清洗能去除表面杂质、有机物、金属污染物等，避免杂质影响器件性能和良率；可改善表面平整度和活性，为后续工艺如光刻、沉积等提供良好基础，保证工艺质量。

五、讨论题（每题5分，共4题）

1.工艺整合中如何平衡成本和良率？

可通过优化工艺步骤，减少不必要工序降成本；合理选设备材料，在成本可控下保证质量；持续改进工艺参数提高良率；还可进行成本效益分析，找出投入产出最佳点来平衡成本与良率。

2.光刻工艺发展面临的挑战有哪些？

光刻工艺面临光源波长极限挑战，更小特征尺寸需更短波长光源；光刻胶性能提升困难，要满足高分辨率、低缺陷要求；光刻机设备成本高且产能有限；还有多重曝光等新方法带来工艺复杂、良率降低问题。

3.谈谈化学气相沉积在工艺整合中的应用和优势。

化学气相沉积可沉