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半导体湿电子化学品研发工程师岗位招聘考试试卷及答案
填空题
1.半导体清洗中最基础的湿电子化学品是______。
2.用于刻蚀二氧化硅(SiO?)的常用酸是______。
3.25℃时超纯水的理论电阻率为______。
4.SC1清洗液的主要组成为______。
5.SC2清洗液的主要组成为______。
6.CMP浆料中常用的磨粒材料是______(写一种)。
7.光刻胶剥离液的核心成分是______。
8.湿电子化学品需控制的关键指标包括金属杂质、______、水分等。
9.半导体级化学品中金属杂质的典型控制标准为______级别。
10.用于去除晶圆表面光刻胶残留的化学品是______。
答案:
1.超纯水(UPW)
2.氢氟酸(HF)
3.18.2MΩ·cm
4.氨水-双氧水-水(NH?OH-H?O?-H?O)
5.盐酸-双氧水-水(HCl-H?O?-H?O)
6.纳米二氧化硅(SiO?)/氧化铝(Al?O?)
7.有机溶剂(如NMP、DMSO)
8.颗粒数
9.10ppt(皮克/升)
10.光刻胶剥离液
单项选择题
1.以下哪种清洗液主要去除晶圆表面有机物和金属杂质?
A.SC1B.SC2C.HFD.超纯水
2.刻蚀单晶硅(Si)的常用混合酸是?
A.HCl+H?O?B.HNO?+HFC.H?SO?+H?O?D.CH?COOH+H?O?
3.湿电子化学品纯度等级最高的是?
A.工业级B.电子级(EL)C.UPSS级D.化学纯(CP)
4.CMP浆料中磨粒的典型粒径范围是?
A.10-100nmB.1-10μmC.0.1-1mmD.100-1000nm
5.以下哪种化学品属于刻蚀液?
A.氨水B.双氧水C.磷酸(H?PO?)D.异丙醇
6.超纯水制备的关键步骤不包括?
A.反渗透(RO)B.蒸发结晶C.电去离子(EDI)D.紫外氧化(UV)
7.湿电子化学品中对器件性能影响最大的杂质是?
A.金属杂质B.有机杂质C.颗粒D.水分
8.以下哪种清洗液可去除晶圆表面的颗粒污染?
A.SC1B.HFC.超纯水D.所有上述选项
9.光刻胶剥离液的作用不包括?
A.溶解光刻胶B.去除残留金属C.刻蚀SiO?D.清洗晶圆
10.湿电子化学品的包装材料通常选用?
A.不锈钢B.PFA/PTFEC.玻璃D.塑料(PVC)
答案:
1.A2.B3.C4.A5.C6.B7.A8.D9.C10.B
多项选择题
1.湿电子化学品的关键质量指标包括?
A.金属杂质含量B.颗粒数C.水分D.密度
2.SC1清洗液的组成成分有?
A.NH?OHB.HClC.H?O?D.超纯水
3.用于去除晶圆表面有机物的清洗液有?
A.SC2B.SC1C.臭氧水D.HF
4.CMP浆料的核心组成部分包括?
A.磨粒B.分散剂C.氧化剂D.粘接剂
5.半导体制造中常用的湿电子化学品类型有?
A.清洗液B.刻蚀液C.剥离液D.CMP浆料
6.刻蚀铝(Al)的常用试剂有?
A.H?PO?B.HNO?C.CH?COOHD.HF
7.超纯水的质量控制指标包括?
A.电阻率B.TOC(总有机碳)C.颗粒数D.pH值
8.湿电子化学品需满足的要求有?
A.高纯度B.低颗粒污染C.强腐蚀性D.良好稳定性
9.光刻胶剥离液的常用有机溶剂有?
A.NMP(N-甲基吡咯烷酮)B.DMSO(二甲基亚砜)C.乙醇D.丙酮
10.影响湿电子化学品纯度的因素有?
A.原料纯度B.生产工艺C.包装材料D.存储环境
答案:
1.ABC2.ACD3.BC4.ABC5.ABCD6.AB7.ABCD8.ABD9.AB10.ABCD
判断题
1.HF只能用于刻蚀SiO?,不能刻蚀其他材料。(×)
2.SC2清洗液主要去除晶圆表面的金属杂质。(√)
3.25℃时超纯水的电阻率为18.2MΩ·cm是行业标准。(√)
4.CMP浆料中的磨粒必须为纳米级。(√)
5.光刻胶剥离液不含任何有机溶剂。(×)
6.湿电子化学品的纯度仅需控制金属杂质含量。(×)
7.氨水(NH?OH)可用于调整湿电子化学品的pH值。(√)
8.湿电子化学品可在普通环境下长期存储。(×)
9.硝酸(HNO?)是强氧化剂,可用于CMP浆料。(√)
10.EL级湿电子化学品的纯度高于UPSS级。(×)
简答题
1.简述半导体湿电子化学品中“金属杂质含量”的控制重要性。
答案:金属杂质(如Fe、Cu、Ni等)会在晶圆表面残留,导致器件漏电、性能下降甚至失效。金属杂质易形成深能级缺陷,缩短载流子寿命;高温工艺中还会扩散迁移,破坏器件结构。行业要求金属杂质含量10ppt,需通过提纯(蒸馏、离子交换)、惰性包装(PFA)及超净存储实现控制,直接影响半导体器件良率。
2.说明SC1和SC2清洗液的组成及主要作用。
答案:SC1(氨水-双氧水-水):去除
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