量子器件仿真：量子阱仿真_（7）.量子阱中的量子效应.docx

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量子阱中的量子效应

量子限制效应

量子限制效应是指当电子或空穴被限制在一个非常小的区域内（例如，量子阱、量子线或量子点）时，其能级从连续的能带结构变为离散的能级结构。这种效应在半导体量子器件中尤为重要，因为它可以显著改变器件的光学和电学性质。

一维量子阱

在一维量子阱中，电子或空穴在两个方向上是自由的，但在第三个方向上受到势垒的限制。假设电子在x方向上受到限制，而在y和z方向上是自由的，那么薛定谔方程可以简化为：

?

其中，ψx是波函数，E是能级，Vx是势垒函数，?是约化普朗克常数，

二维量子阱

在二维量子阱中，电子或空穴在两个方向上受到限制，而在