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    下一代存储材料：多技术路径突破，支撑AI与智能时代数据存储需求

    一、相变存储材料：攻克“电阻漂移”关键难题，为类脑计算提供高精度载体

    2025年10月，西安交通大学金属材料强度全国重点实验室材料创新设计中心（CAID）团队的一项研究，为相变存储技术的瓶颈突破带来了关键进展。该团队研制出铬碲非晶合金CrTe3，其局部结构几乎全部为完美八面体，从根本上解决了相变存储器件的“电阻漂移”问题——这一困扰行业多年的痛点，正阻碍着相变类脑计算的精度提升与边缘端应用。

    相变存储器的核心原理，是利用硫族化合物（如商用锗锑碲合金GST）非晶相与晶体相的电阻差异实现数据存储。但传统非晶材料存在“自发结构弛豫”特性

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