半导体物理习题试卷及答案.docxVIP

半导体物理习题试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、

解释能带形成的原因。为什么在绝缘体和半导体中存在禁带，而在导体中不存在？

二、

简述有效质量的意义及其与能带结构的关系。如何根据能带图判断电子在某个方向上的有效质量是正还是负？

三、

什么是能谷？解释能谷的概念，并说明有效质量、速度和动量在能谷内的关系。

四、

推导理想本征半导体（N型或P型）在热平衡时的电子和空穴浓度关系式（即赛伦-布拉格方程）。

五、

什么是掺杂？分别说明掺杂对半导体本征载流子浓度和电导率有何影响？掺杂浓度过高会有什么现象？

六、

解释载流子的迁移率（μn,μp）的定义。影响n型和p型半导体载流子迁移率的因素有哪些？请分别说明。

七、

简述半导体中电导率的表达式。在温度升高时，本征半导体和掺杂半导体的电导率将如何变化？为什么？

八、

说明什么是肖克利理想PN结的平衡状态。在平衡状态下，PN结内部是否存在电场？是否存在净电流？

九、

当PN结外加正向电压时，其空间电荷区（耗尽层）的宽度将如何变化？解释原因。

十、

当PN结外加反向电压时，其反向电流的特点是什么？简要说明产生反向电流的机制。

十一、

什么是内建电场？在内建电场的作用下，PN结两侧的费米能级是如何分布的？

十二、

简述欧姆定律在半导体中的适用条件。与金属导体相比，半导体器件的欧姆特性有何不同？

十三、

解释半导体的补偿现象。在N型半导体中，如果掺入的施主杂质浓度远大于产生的补偿受主杂质浓度，其导电类型和载流子浓度主要由什么决定？

十四、

什么是半导体的本征激发？影响本征激发产生载流子对数量的主要因素有哪些？

十五、

简要说明掺杂对半导体禁带宽度的影响。为什么？

十六、

推导理想PN结在正向偏置时的电流表达式（即二极管方程）。其中各项物理量的意义是什么？

十七、

解释什么是齐纳击穿和雪崩击穿。这两种击穿机制的物理过程有何不同？影响它们的击穿电压的因素有哪些？

十八、

简述影响半导体PN结反向饱和电流的因素。为什么反向饱和电流通常对温度比较敏感？

十九、

什么是MOS电容？解释其电容公式中各个参数的物理意义。栅极电压对MOS电容有何影响？

二十、

结合能带理论，解释为什么掺杂浓度和温度都会影响半导体的电导率？

试卷答案

一、

答：能带形成是由于晶体中原子间的相互作用（主要是相邻原子核间的库仑吸引和电子间的泡利排斥），使得原来孤立原子中分离的能级发生分裂，形成能带。当原子间距足够近形成晶体时，原子外层电子受到周围大量原子核和电子的作用，其波函数发生重叠。对于相同能量级的电子，某些波矢k值会被禁止，形成禁带。导体中由于价带未满或存在导带，电子可以在没有禁带的情况下自由移动，因此没有禁带。半导体中价带被电子填满，与空的导带之间存在一个较窄的禁带，电子需要获得足够能量才能跃迁到导带。

二、

答：有效质量是描述电子在晶体周期性势场中运动性质的物理量，它代表了电子在晶体中受到的有效惯性。有效质量通过电子在能带中的运动方程（如紧束缚模型中的力常数表达式或能带曲率的定义）计算得到。其与能带结构的关系在于：在能带底的曲率项（d2E/dk2）为正时，有效质量为正，电子表现为正常粒子；在能带顶的曲率项为负时，有效质量为负，电子表现为有效质量反常。根据能带图，若在某个k值附近，能带曲线呈现抛物线状向上弯曲（d2E/dk20），则有效质量为正；若能带曲线呈现向下弯曲（d2E/dk20），则有效质量为负。

三、

答：能谷是指在能带中，电子能量E随波矢k的变化呈现出极小值或极小值区域。能谷代表了电子在该方向上运动时，能量随波矢变化的主要特征。有效质量、速度和动量在能谷内的关系通常遵循类抛物线关系（在能谷附近展开）。在能谷底部，电子的有效质量（m*）通常为正。电子的速度v≈(dE/dk)，动量p=hk，在能谷附近，速度和动量也与k近似成正比，但比例系数与有效质量有关。

四、

答：推导思路：从费米-狄拉克统计出发，分别写出本征半导体中电子气体的总能量U_n和空穴气体的总能量U_p。U=∫Eg(1+1/f)g(E)dE，其中g(E)为态密度。利用电子和空穴的简并度关系n/p=exp[(E_f-E_v)/kT]，以及E_c-E_f=E_f-E_v=kT（本征）。联立这些关系式，通过能量守恒（U_n+U_p=Nc*kT/2+Nv*kT/2，Nc,Nv为有效态密度），并利用n*p=ni2，可以推导出ni=sqrt(Nc*Nv/(e*ε*kT))，即赛伦-布拉格方程。

五、

答：掺杂是指在纯净的半导体晶体中有控制地掺入少量杂质元素。掺杂对半导体的影响：1.提高载流子浓度：N型掺杂（掺入施主杂质）产生多余电子，显著