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磁电式传感器

8.1霍尔传感器

8.2磁电感应式传感器

思考题与习题;

8.1霍尔传感器

8.1.1霍尔效应与霍尔元件

1.霍尔效应

霍尔传感器是利用霍尔效应实现磁电转换的一种传感器。如图8-1所示的导电板，其长度为1,宽度为b,厚度为d,当它被置于磁感应强度为B的磁场中(z方向)时，如果在它相对的两边通以控制电流I(y方向),磁场方向与电流方向正交，

则在导电板的另外两边(x方向)将产生一个电势UH,这一现象称为霍尔效应，该电势称为霍尔电势。;

图8-1霍尔效应原理图;

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霍尔效应是导电板中的电子受磁场洛仑兹力作用而产生

的。当给导电板通以电流I时，导电板中的电子受到磁场中;

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电子在洛仑兹力F作用下向C面积聚。这样，在C面产

生负电荷积累，而在D面产生正电荷积累，CD间形成静电场EH,该电场将阻止电荷继续积累，当电场力与洛仑兹力相等时，达到动态平衡，即

F?=FL(8-2)

-eEH=-evB(8-3)

(8-4)则

UH=bvB(8-5);

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流过霍尔元件的电流可表示为

I=-enbdv(8-6)

式中：bd为与电流方向垂直的截面积；n为单位体积内的电子数(载流子浓度)。;

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由式(8-5)和式(8-6)得;

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R为霍尔传感器的霍尔系数，它由霍尔元件的材料性

质决定，设

(8-9)

则

UH=KHIB(8-10)

式中，KH为霍尔元件的灵敏度。

由式(8-10)可见，霍尔电势正比于激励电流及磁感应强

度，其灵敏度与霍尔系数R成正比，而与霍尔片厚度d成反比。为了提高灵敏度，霍尔元件常制成薄片形状。;

磁电式传感器

对霍尔片材料的要求，希望有较大的霍尔系数R,霍尔

元件激励极间电阻R=pl/(bd),同时R=U/I=EV/I=vl/(-μnevbd)=1/(-μnebd)(因为μ=v/E,μ为电子迁移率),其中U为加在霍尔元件两端的激励电压，E为霍尔元件激励极间内电场，v为电子移动的平均速度，则

(8-11)

解得

RH=μp(8-12);

由式(8-12)可知，霍???系数等于霍尔片材料的电阻率p与

电子迁移率μ的乘积。若要增强霍尔效应，就要增大R值，即要求霍尔片材料有较大的电阻率和载流子迁移率。一般金属材料的载流子迁移率很高，但电阻率很低；而绝缘材料电阻率极高，但载流子迁移率极低。故只有半导体材料适于制造霍尔片。目前常用的霍尔元件材料有锗、硅、砷化铟、锑化铟等半导体材料。其中N型锗容易加工制造，其霍尔系数、

温度性能和线性度都较好。N型硅的线性度最好，其霍尔系数、温度性能与N型锗相近。锑化铟对温度最敏感，尤其在低温范围内温度系数大，但在室温时其霍尔系数较大。砷化铟的霍尔系数较小，温度系数也较小，输出特性线性度好。;

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2.霍尔元件基本结构和等效电路模型

霍尔元件由霍尔片、引线和壳体组成，如图8-2(a)所示。

霍尔片是一块矩形半导体单晶薄片，引出四条引线。1、1′两根引线加激励电压或电流，称为激励电极；2、2引线为霍尔输出引线，称为霍尔电极。霍尔元件壳体由非导磁金属、陶瓷或环氧树脂封装而成。在电路中霍尔元件可用两种符号表示，如图8-2(b)所示。;

2

H

2o

1、1一激励电极；2、2一霍尔电极

西安由子;

霍尔元件激励电极间的电阻值称为输入电阻。霍尔电极

的输出电势对外电路来说相当于一个电压源，其电源内阻即为输出电阻，等效电路模型如图8-3所示，图中，R为输入

电阻，R?为输出电阻，I为激励电流，UH为霍尔电势。;

图8-3霍尔元件的等效电路模型;

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例8-1已知霍尔元件的灵敏度系数KH=30V/(A·T),输入

电阻R=2000Ω,输出电阻R?=3000Ω,采用恒压源供电，恒压源电压为5V,不考虑恒压源的输出电阻，当霍尔元件置于B=0.4T的磁场中时，如输出接负载电阻R=27000Ω,求