兰州理工《模拟电子技术基础》王晓兰第1章半导体二极管及其应用电路.pptVIP

共47页第*页1.2.2PN结的特性PN结的单向导电性1)正向偏置的PN结2)反向偏置的PN结2.PN结的电压和电流特性3.PN结电压电流特性的温度效应4.PN结的击穿(齐纳效应,雪崩击穿)5.PN结的电容效应(扩散电容,势垒电容)共47页第*页本节中的一些重要概念：PN结及其性质PN结扩散漂移空间电荷区，或称耗尽层，PN结PN结的特性1.PN结的单向导电性1）正向偏置的PN结2）反向偏置的PN结2.理想的电压和电流关系3.温度效应4.击穿特性5.PN结的电容效应1.2PN结及其特性共47页第*页1.3半导体二极管1.3.1半导体二极管的结构1.3.2半导体二极管的电压电流特性及主要参数共47页第*页1.3.1半导体二极管的结构将PN结用外壳封装起来，加上电极引线，就构成了半导体二极管，简称二极管（Diode），电路符号如图所示。P区引出的电极为正极（也称阳极），N区引出的电极为负极（也称阴极）。1.3半导体二极管共47页第*页1.3.1半导体二极管的结构如图所示为常见的几种二极管的外形：共47页第*页半导体二极管按其结构不同可分为两类：点接触型面接触型(a)点接触型二极管的结构示意图特点：这种结构的二极管结面积小，能够通过的电流小，结电容很小，因此使用在高频小电流场合，如高频电子线路中。1.3.1半导体二极管的结构共47页第*页面接触型(b)面接触型特点：采用合金法工艺制成，结面积大，能够通过较大电流，但结电容也大，因此使用在低频大电流场合，常用于整流电路中。1.3.1半导体二极管的结构共47页第*页1.3.2半导体二极管的电压电流特性及主要参数锗二极管的电压电流特性1.半导体二极管的电压电流特性死区:电压大于0小于开启电压正向特性正向导通(电压大于开启电压，等于导通电压)共47页第*页1.3.2半导体二极管的电压电流特性及主要参数1.半导体二极管的电压电流特性2）击穿特性：电压达到击穿电压电流在大范围变化，电压基本不变1）截止特性，电压低于击穿电压，反向特性共47页第*页硅二极管：Uon=0.5V,UD=0.6-0.8V，近似计算时，一般可取0.7V锗二极管：Uon=0.1V,UD=0.1-0.3V，近似计算时，一般可取0.2V1.3.2半导体二极管的电压电流特性及主要参数对硅管和锗管，电压电流特性相似，但具体参数不同。共47页第*页实测的二极管电流电压特性曲线1.3.2半导体二极管的电压电流特性及主要参数共47页第*页1.最大整流电流IF：指管子长期运行时，允许通过的最大正向电流的平均值2.反向击穿电压U(BR)3.最高反向工作电压UR，一般情况UR=50%U(BR)4.反向电流IR:指二极管未击穿时的反向电流1.3.2半导体二极管的电压电流特性及主要参数2.半导体二极管的主要参数5.最高工作频率fM:二极管工作频率的上限。超过此值时，由于结电容的作用，二极管将不能很好地体现单向导电性。共47页第*页二极管的参数示例1.3.2半导体二极管的电压电流特性及主要参数型号最大整流电流最高反向工作电压（峰值）反向击穿电压（反向电流400uA）正向电流（正向电压1U）反向电流最高工作频率极间电容mAURU(BR)mAAMHzpF2AP12AP2161220100≥40≥150≥2.5≥5.0≤250≤250150160≤1≤1型号最大整流电流最高反向工作电压（峰值）最高反向工作电压下的反向电流(125℃)正向压降（平均值）(25℃)最高工作频率AUAUkHz2CZ520.125，50，100，200，300，400，500，600，700，800，900，1000，1200，1400，1600，1800，2000，2200，2400，2600，2800，30001000≤0.832CZ540.51000≤0.832CZ5751000≤0.83共47页第*页二极管、三极管的命名规则(国标)1.3.2半导体二极管的电压电流特性及主要参数第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分用数字表示器件的电极数量用汉语拼音字母表示器件的材料和极性用汉语拼音字母表示器件的类型用数字表示器件序