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高性能石墨烯场效应晶体管：从量子电容到器件性能的深度剖析与展望

一、引言

1.1研究背景与意义

随着现代信息技术的飞速发展，电子器件不断朝着高性能、小型化和低功耗的方向迈进。作为电子学领域的关键元件，晶体管的性能提升对于推动整个电子行业的发展起着至关重要的作用。传统的硅基场效应晶体管（MOSFET）在尺寸不断缩小的过程中，逐渐面临着短沟道效应、漏电流增加等物理极限问题，限制了其进一步提高性能和降低功耗的能力。因此，寻找新型半导体材料和器件结构成为了突破这些限制的关键。

石墨烯，作为一种由碳原子以sp2杂化轨道组成六角型呈蜂巢晶格的二维碳纳米材料，自2004年被成功分离以来，凭借其独