《数字电路的分析与实践》课件——常用RAM电路的结构特点和使用方法.pptxVIP

项目8半导体存储器的认知;

任务8.3常用RAM电路的结构特点和使用方法

吴蕾;

一、RAM的分类

二、RAM的结构和工作原理

三、RAM的的容量扩展;

一、RAM的分类

在计算机中，RAM用作内存储器和高速缓冲存储器。

1、静态RAM

(1)双极型

(2)MOS型

2、动态RAM;

思考二者的区别：

·静态RAM信息的存储单元由门控管和电容组成；

·动态MOS存储单元电路主要是三管和单管结构。;

二、RAM的结构和工作原理

RAM是由许许多多的基本寄存器组合起来构成的大规模集成电路。

1、存储单元：

RAM中的每个寄存器称为一个字，寄存器中的每一位称为一个存储单元。;

二、RAM的结构和工作原理

2、存储容量：

寄存器的个数(字数)与寄存器中存储单元个数(位数)的乘积，叫做RAM

的容量。;

二、RAM的结构和工作原理

3、按照RAM中寄存器位数的不同，RAM有多字1位和多字多位两种结构形式。

(1)在多字1位结构中，每个寄存器都只有1位，例如一个容量为1024×1位的RAM,就是一个有1024个1位寄存器的RAM。

(2)多字多位结构中，每个寄存器都有多位，例如一个容量为256×4位的RAM,就是一个有256个4位寄存器的RAM。;

由大量寄存器构成的矩阵

存储矩阵

用以决定对

被选中的单元

是读还是写;

二、RAM的结构和工作原理

容量为256×4RAM的存储矩阵

存储单元8根列选择线;

二、RAM的结构和工作原理

■地址的选择通过地址译码器来实现。

■地址译码器由行译码器和列译码器组成。

■行、列译码器的输出即为行、列选择线，由它们共同确定欲选择的地址单元。;

■256×4RAM存储矩阵中，256个字需要8位地址码A?~A?。

■其中高3位A?~A?用于列译码输入，低5位A?~A?用于行译码输入。

■A?~A?时，Y?=1、X?=1,选中X?和Y?交叉的字单元。;

二、RAM的结构和工作原理

集成2kB×8位RAM6116

写入控制端输出使能端片选端;

RAM的种类很多，存储容量有大有小。当一片RAM不能满足存储容量的需要时，

就需要将若干片RAM组合起来，构成满足存储容量要求的存储器，RAM的扩??分为位扩展和字扩展两种。

1、位扩展

字数满足要求，而位数不够时，应采用位扩展。

2、字扩展

在RAM的数据的位数足够，而字数达不到要求时，需要进行字扩展。字数增

加，地址线数就得相应增加。;

°I/O?

I/O

1024×1RAM(7)

A?A?…A?R/WCS

A?

A?

A?

R/W

CS

将地址线、读/写线和

片选线对应地并联在一起;

三、RAM容量的扩展

位扩展原则：

(1)多个单片RAM的I/0端并行输出。

(2)多个RAM的CS接到一起，作为RAM的片选端。

(3)地址端对应接到一起，作为RAM的地址输入端。

(4)多个单片RAM的R/W端接到一起，作为RAM的读/写控制端(读/写控制端只能有一个)。;

YoY?Y?Y?Y?Y?Y?Y?

3线-8线译码器

A?A?A?要增加的地址线A??~A?2与译码器的输

入相连，译码器的输出分别接至8片RAM的片选控制端;

三、RAM容量的扩展

字扩展原则：

(1)多个单片RAM的I/0端并接，作为RAM的I/0端。

(2)多片构成字扩展之后，每次访问只能选中一片，选中哪一片，由字扩展后多出的地址线决定。多出的地址线经输出低有效的译码器译码，接至各片RAM的CS端。

(3)地址端对应接到一起，作为低位地址输入端。

(4)R/W端接到一起作为RAM的读/写控制端(读/写控制端只能有一个)。;

思考：

试用1024x4位RAM来实现4096x8位存储器?;

本课小结

1.掌握ROM和RAM的结构特点

2.掌握ROM和RAM的工作原理

3.能够进行ROM和RAM的扩展;

谢谢大家!