CN119026538B 用于dfb高速激光器芯片的外延精度优化方法及装置 (江苏永鼎股份有限公司).docxVIP

CN119026538B 用于dfb高速激光器芯片的外延精度优化方法及装置 (江苏永鼎股份有限公司).docx

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(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN119026538B(45)授权公告日2025.07.04

(21)申请号202411521171.9

(22)申请日2024.10.29

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN119026538A

(43)申请公布日2024.11.26

(73)专利权人江苏永鼎股份有限公司

地址215200江苏省苏州市吴江区汾湖高

新区国道路1788号

(72)发明人路庆海李晶倪春丽陆佳腾

(74)专利代理机构苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙)32257

专利代理师陈华红子

(51)Int.CI.

GO6F30/33(2020.01)

GO6F30/337(2020.01)

G06T17/00(2006.01)

GO6F18/25(2023.01)

GO6N3/0464(2023.01)

(56)对比文件

CN109491216A,2019.03.19CN116631855A,2023.08.22

审查员杨郭梅霞

权利要求书3页说明书12页附图2页

(54)发明名称

用于DFB高速激光器芯片的外延精度优化方

法及装置

(57)摘要

CN119026538B本申请提供了用于DFB高速激光器芯片的外延精度优化方法及装置,涉及半导体激光器制造技术领域,包括:采集结构点云数据信息,进行空间数据融合;构建激光器芯片外延工艺数据库,得到预测模型;获取目标应用场景参数,同数据库进行匹配优选;利用数字孪生技术将三维空间模型和预测模型进行嵌套融合,并对可用控制参数进行精度预测和优化分析,输出工艺控制参数,进行外延精度优化控制。通过本申请可以解决现有技术中由于现有芯片外延工艺的生长条件不稳定,导致工艺控制参数不精确,进而影响了外延精度的技术问题,通过引入激光扫描和三维建模,实现了对外延工艺参数的精确预测和优化,提高了

CN119026538B

通过激光扫描仪采集获取

通过激光扫描仪采集获取DFB高速激光器芯片的结构点云数据信息,根据所述结构点云数据信息进行空间数据融

合,生成激光器芯片三维空间模型

构建激光器芯片外延工艺数据库,利用深度神经网络结构对所述激光器芯片外延工艺数据库进行外延工艺分析训练,得到芯片外延工艺控制预测模型

获取所述DFB高速激光器芯片的目标应用场景参数,将所述目标应用场景参数和所述激光器芯片外延工艺数据库

进行匹配优选,获得芯片外延工艺可用控制参数

利用数字孪生技术将所述激光器芯片三维空间模型和所述芯片外延工艺控制预测模型进行嵌套融合,构建芯片外延控制数字孪生模型,并基于所述芯片外延控制数字孪生模型对所述芯片外延工艺可用控制参数进行精度预测,得到芯片外延精度预测参数

对所述芯片外延精度预测参数进行优化分析,输出目标

芯片外延工艺控制参数,并基于所述目标芯片外延工艺步骤五控制参数对所述DFB高速激光器芯片进行外延精度优化控

步骤四

步骤三

步骤

CN119026538B权利要求书1/3页

2

1.用于DFB高速激光器芯片的外延精度优化方法,其特征在于,包括:

通过激光扫描仪采集获取DFB高速激光器芯片的结构点云数据信息,根据所述结构点云数据信息进行空间数据融合,生成激光器芯片三维空间模型;

构建激光器芯片外延工艺数据库,利用深度神经网络结构对所述激光器芯片外延工艺数据库进行外延工艺分析训练,得到芯片外延工艺控制预测模型;

获取所述DFB高速激光器芯片的目标应用场景参数,将所述目标应用场景参数和所述激光器芯片外延工艺数据库进行匹配优选,获得芯片外延工艺可用控制参数;

利用数字孪生技术将所述激光器芯片三维空间模型和所述芯片外延工艺控制预测模型进行嵌套融合,构建芯片外延控制数字孪生模型,并基于所述芯片外延控制数字孪生模型对所述芯片外延工艺可用控制参数进行精度预测,得到芯片外延精度预测参数;

对所述芯片外延精度预测参数进行优化分析,输出目标芯片外延工艺控制参数,并基于所述目标芯片外延工艺控制参数对所述DFB高速激光器芯片进行外延精度优化控制;

其中,所述构建激光器芯片外延工艺数据库,包括:

获取芯片外延工艺控制因素,按照所述芯片

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