CN115843362B 用于长期存储信息的方法和信息存储介质的提高存储能力 （陶瓷数据解决方案有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN115843362B(45)授权公告日2025.07.04

(21)申请号202080102617.8

(22)申请日2020.07.03

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN115843362A

(43)申请公布日2023.03.24

(85)PCT国际申请进入国家阶段日

2022.12.29

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/EP2020/0688922020.07.03

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2022/002418EN2022.01.06

(73)专利权人陶瓷数据解决方案有限公司地址奥地利格蒙登

(72)发明人克里斯蒂安·弗劳姆马丁·昆泽

(74)专利代理机构北京律诚同业知识产权代理有限公司11006

专利代理师徐金国吴启超

(51)Int.CI.

GO6K19/06(2006.01)

CO4B41/00(2006.01)

G09F3/02(2006.01)

GO6K19/10(2006.01)

GO6K7/10(2006.01)

(56)对比文件

JP2008269219A,2008.11.06

WO2013179329A1,2015.10.22

US4214249A,1980.07.22

TW200518084A,2005.06.01

审查员石海霞

权利要求书3页说明书15页附图5页

(54)发明名称

用于长期存储信息的方法和信息存储介质的提高存储能力

(57)摘要

本发明涉及一种信息存储介质和用于长期存储信息的方法。

170~

CN

CN115843362B

00xy01xy1011xy

CN115843362B权利要求书1/3页

2

1.一种用于存储信息的方法，其包括以下步骤：

提供陶瓷基板；以及

通过使用激光和/或聚焦粒子束在所述陶瓷基板的表面中形成多个凹陷部以便在所述陶瓷基板上编码信息；

其中所述多个凹陷部具有不同深度并且其中每个深度对应于预定义信息位。

2.一种用于存储信息的方法，其包括以下步骤：

提供陶瓷基板；

将所述陶瓷基板涂覆有不同于所述陶瓷基板的材料的第二材料的层；以及

通过使用激光和/或聚焦粒子束在所述第二材料的所述层的表面中形成多个凹陷部以便在所述第二材料的所述层中编码信息；

其中所述多个凹陷部具有不同深度并且其中每个深度对应于预定义信息位，

其中所述第二材料包含以下中的至少一者：金属；或陶瓷材料，所述陶瓷材料包含金属氮化物、金属碳化物、金属氧化物、金属硼化物、或金属硅化物。

3.一种用于存储信息的方法，其包括以下步骤：

提供陶瓷基板；

将所述陶瓷基板涂覆有不同于所述陶瓷基板的材料的不同第二材料的两个或更多个层；以及

通过使用激光和/或聚焦粒子束在所述第二材料的所述层中形成多个凹陷部以便在所述第二材料的所述层中编码信息；

其中所述多个凹陷部具有不同深度并且延伸到所述两个或更多个层中的不同层中，并且其中每个深度对应于预定义信息位，

其中所述第二材料包含以下中的至少一者：金属；或陶瓷材料，所述陶瓷材料包含金属氮化物、金属碳化物、金属氧化物、金属硼化物、或金属硅化物。

4.如权利要求2或3所述的方法，其中在信息编码之前和/或之后对所涂覆的陶瓷基板进行回火以提高所涂覆的陶瓷基板的耐久性。

5.如权利要求1-3中任一项所述的方法，其中所述多个凹陷部之间的最小深度差为至少10nm。

6.如权利要求1-3中任一项所述的方法，其中所述陶瓷基板包含至少90重量%的以下

中的一者或组合：Al?O?、TiO?、SiO?、Zr0?、ThO?、MgO、Cr?0?、Zr?0?、V?0?。

7.如权利要求1-3中任一项所述的方法，其中所述陶瓷基板包含至少90重量%的以下中的一者或组合：金属氮化物、金属碳化物、金属硼化物、以及金属硅化物。

8.如权利要求7所述的方法，其中所述金属氮化物包含CrN、CrAlN、TiN、TiCN、TiAlN、ZrN、AlN、VN、Si?