CN115428218B 电解质材料及其形成方法 （圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN115428218B(45)授权公告日2025.07.04

(21)申请号202180029228.1

(22)申请日2021.08.06

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN115428218A

(43)申请公布日2022.12.02

(30)优先权数据

63/062,7552020.08.07US

(85)PCT国际申请进入国家阶段日2022.10.18

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/US2021/0711372021.08.06

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2022/032311EN2022.02.10

(73)专利权人圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司地址美国马萨诸塞州

(72)发明人弗拉迪米尔·乌斯片斯基戈拉夫·阿萨特

(74)专利代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司11287

专利代理师章蕾

(51)Int.CI.

H01M10/0562(2006.01)

H01B1/06(2006.01)

(56)对比文件

CN111279432A,2020.06.12

US2019088995A1,2019.03.21

审查员李伟

权利要求书2页说明书27页附图16页

(54)发明名称

电解质材料及其形成方法

(57)摘要

CN115428218B140130本发明公开了一种固体电解质材料，所述固体电解质材料可以包括基于卤化物的材料，所述基于卤化物的材料具有包括无序的结晶结构。在一个实施例中，所述固体电解质材料可以包括包含堆垛层错的结晶结构。在另一个实施例中，所述固体电解质材料可以包括结晶相，所述结晶相包括由六方晶系的空间群或菱方晶格系统的空间群表示的结晶结构。在另一个实施例中，所述固体电解质材料可以包括结晶相，所述结晶相包

CN115428218B

140

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CN115428218B权利要求书1/2页

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1.一种固体电解质材料，所述固体电解质材料包括：

M?-z(Me+)。X3-2+k*E,其中-3≤z3;2≤k≤6;0f≤1;M包括碱金属元素；Me包括二价金属元素、三价金属元素、四价金属元素、五价金属元素、六价金属元素或它们的任意组合；并且X包括卤素；

结晶结构，所述结晶结构包括至少20%的堆垛层错以及至少25nm的平均衍射晶粒尺

寸。

2.根据权利要求1所述的固体电解质材料，其中所述结晶结构由C2/m空间群表示。

3.根据权利要求1所述的固体电解质材料，其中所述结晶结构包括至少50%的堆垛层

错。

4.根据权利要求1所述的固体电解质材料，其中用CuK-α辐射测量的X射线衍射图案包括在16°与25°2-0之间不存在峰。

5.根据权利要求1所述的固体电解质材料，其中M包括Li或Na中的至少一者。

6.根据权利要求1所述的固体电解质材料，其中Me包括稀土元素、Zr、Sn或它们的任意

组合。

7.根据权利要求1所述的固体电解质材料，其中Me包括Y。

8.根据权利要求1所述的固体电解质材料，其中X包括Cl、Br或它们的组合。

9.根据权利要求1所述的固体电解质材料，其中所述固体电解质材料由Li、Y、Cl和Br组成。

10.根据权利要求1所述的固体电解质材料，所述固体电解质材料包括结晶相，所述结晶相包括由P-3m1或Pnma空间群表示的结晶结构。

11.根据权利要求1所述的固体电解质材料，其中所述结晶结构包括至少70%的堆垛层

错。

12.一种固体电解质材料，所述固体电解质材料包括

M?-?(Me)X3-z+k*,其中-3≤z3;2≤k≤6;0f≤1;M包括碱金属元素；Me包括二价金属

元素、三价金属元素、四价金属元素、五价金属元素、六价金属元素或它们的任意组合；并且X包括卤素；

结晶结构包括至少25nm的平均衍射晶粒尺寸，其中所述结晶结构由菱方空间群或六方空间群表示。

13.根据权利要求12所述的固体电解质材料，所述固体电解质材料包括结晶相，所述结晶相包括由R-3m空间群表示的结晶结构。

14.根据权利要求12所述的固体电解质材料，所述固体电解质材料包括结晶相，所述结晶相包括由P6?/mcm或P6?/mmc空间群表示的结晶结构。

15.根据权利要求12所述的固体电解质材料，其中M包括Li、Na或它们的组合，其中Me包括Y、Ce、Gd、Er、Zr、L