CN115053380B 复合物的剥离方法 (广东省皓智科技有限公司).docxVIP

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CN115053380B 复合物的剥离方法 (广东省皓智科技有限公司).docx

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN115053380B(45)授权公告日2025.07.04

(21)申请号202180012653.X

(22)申请日2021.03.15

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN115053380A

(43)申请公布日2022.09.13

(66)本国优先权数据

PCT/CN2020/0966722020.06.17CN

PCT/CN2020/1100652020.08.19CN

PCT/CN2020/1177892020.09.25CN

(85)PCT国际申请进入国家阶段日

2022.08.03

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/CN2021/0806832021.03.15

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2021/253886EN2021.12.23

(73)专利权人广东省皓智科技有限公司

地址528000广东省佛山市顺德区大良街

道五沙居委会新辉路21号之八

(72)发明人何锦镖江英凯董杨坚

(74)专利代理机构中国专利代理(香港)有限公

司72001专利代理师童春媛梅黎

(51)Int.CI.

H01M10/54(2006.01)

(56)对比文件

CN

109478698

A,2019.03.15

CN

108666645

A,2018.10.16

CN

108780894

A,2018.11.09

审查员冯轲宇

权利要求书3页说明书38页附图2页

(54)发明名称

复合物浸入剥离溶液中

复合物

浸入剥离溶液中

筛选

剥离后的复合材料成分

剥离溶液

(57)摘要

CN115053380B本发明提供一种通过将复合物浸入剥离溶液中而使复合物剥离的方法,其中所述复合物包含金属基底和施加在金属基底的一面或两面的涂层,其中所述涂层包含聚合物粘结剂,以及其中聚合物粘结剂包含水性共聚物。使用包含碱金属硅酸盐的剥离溶液允许以高效且极快的方式使复合物完全剥离。此外,本文公开的剥离方法避免了复杂的分离工序、金属基底的污染和腐蚀,并且能够实现优异的材料回收。本文公开了

CN115053380B

CN115053380B权利要求书1/3页

2

1.一种通过将复合物浸入剥离溶液以将所述复合物剥离的方法,其中所述复合物包含金属基底和施加在所述金属基底的一面或两面的涂层,其中所述涂层包含共聚物粘结剂,其中所述共聚物粘结剂包含结构单元(a),其衍生自选自由含羧酸基团的单体、含磺酸基团的单体、含膦酸基团的单体、含羧酸盐基团的单体、含磺酸盐基团的单体、含膦酸盐基团的单体及其组合构成的群组的单体,其中基于所述共聚物粘结剂中的单体单元的总摩尔数,所述共聚物中的所述结构单元(a)占的比例是按摩尔计40%至80%;其中所述共聚物进一步包含结构单元(b),其中所述结构单元(b)衍生自选自由含酰胺基团的单体、含羟基基团的单体及其组合构成的群组的单体;其中所述共聚物进一步包含结构单元(c),其中所述结构单元(c)衍生自选自由含腈基基团的单体、含酯基基团的单体、含环氧基团的单体、含氟单体及其组合构成的群组的单体。

2.根据权利要求1所述的方法,其中所述剥离溶液包含剥离剂及水性溶剂;且其中所述剥离溶液中所述剥离剂的浓度是0.01至1.5M。

3.根据权利要求2所述的方法,其中所述剥离剂是具有通式(M?0)x·(SiO?),的碱金属硅酸盐,其中M代表选自由钠、钾、铷、铯及其组合构成的群组的碱金属,以及其中x和y之间的

比例介于1:0.485和1:2.76之间。

4.根据权利要求3所述的方法,其中所述碱金属硅酸盐进一步选自由偏硅酸钠、原硅酸钠、焦硅酸钠、偏硅酸钾、原硅酸钾、焦硅酸钾、偏硅酸铷、原硅酸铷、焦硅酸铷、偏硅酸铯、原硅酸铯、焦硅酸铯及其组合构成的群组。

5.根据权利要求2所述的方法,其中所述水性溶剂为水。

6.根据权利要求2所述的方法,其中所述水性溶剂包含作为主要组分的水和次要组分,其中所述水性溶剂中水占的比例是按重量计大于51%且小于100%,以及其中所述次要组分选自由甲醇、乙醇、异丙醇、正丙醇、叔丁醇、正丁醇、丙酮、二甲基酮、甲基乙基酮、乙酸乙酯、乙酸异丙酯、乙酸丙酯、乙酸丁酯及其组合构成的群组。

7.根据权利要求1所述的方法,其中所述含羧酸基团的单体选自由丙烯酸、甲基丙烯酸、巴豆酸、2-丁基巴豆

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