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GaN基LED电子束辐照:能量沉积机制与诱生效应探究
一、引言
1.1GaN基LED的发展与应用
在现代光电子领域,GaN基LED凭借其卓越的性能,已成为照明、显示等众多关键领域的核心元件,发挥着无可替代的重要作用。从发展历程来看,GaN基LED的诞生与演进堪称一部充满挑战与突破的科技传奇。自20世纪中叶起,随着对新型半导体材料探索的不断深入,GaN以其独特的宽禁带特性,开始进入科研人员的视野。早期,由于缺乏合适的单晶衬底材料,GaN材料生长面临着晶格失配、位错密度大以及掺杂困难等重重难题,发展极为缓慢。直到20世纪90年代,材料生长和器件工艺取得重大突破,
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