WO2025140498A1 具有横向模式抑制结构的谐振器及其制作方法 (江苏卓胜微电子股份有限公司).docxVIP

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WO2025140498A1 具有横向模式抑制结构的谐振器及其制作方法 (江苏卓胜微电子股份有限公司).docx

(12)按照专利合作条约所公布的国际申请

(19)世界知识产权组织国际局

(43)国际公布日

2025年7月3日(03.07.2025)

WIPOIPCT

(10)国际公布号

WO2025/140498A1

(51)国际专利分类号:

H03H9/25(2006.01)

(21)国际申请号:PCT/CN2024/143030

(22)国际申请日:2024年12月27日(27.12.2024)

(25)申请语言:中文

(26)公布语言:中文

(30)优先权:

202311849105.X2023年12月28日(28.12.2023)CN

(71)申请人:江苏卓胜微电子股份有限公司(MAXSCENDMICROELECTRONICSCOMPANYLIMITED)[CN/CN];中国江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号A3幢11层214000(CN)。

(72)发明人:巴苏库谢尔盖(BARSUKOU,Siarhei);中国江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号A3

幢11层214000(CN)。福原宽则(FUKUHARA,Hironori);中国江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号A3幢11层214000(CN)。

(74)代理人:北京布瑞知识产权代理有限公司(BEIJINGBRIGHTIPAGENCYCO.,LTD.);中国北京市昌平区七北路42号院3号楼12层3单元1202102200(CN)。

(81)指定国(除另有指明,要求每一种可提供的国家

保护):AE,AG,AL,AM,AO,AT,AU,AZ,BA,BB,BG,BH,BN,BR,BW,BY,BZ,CA,CH,CL,CN,CO,CR,CU,CV,CZ,DE,DJ,DK,DM,DO,DZ,EC,EE,EG,ES,FI,

GB,GD,GE,GH,GM,GT,HN,HR,HU,ID,IL,IN,IQ,

IR,IS,IT,JM,JO,JP,KE,KG,KH,KN,KP,KR,KW,KZ,LA,LC,LK,LR,LS,LU,LY,MA,MD,MG,MK,MN,

MU,MW,MX,MY,MZ,NA,NG,NI,NO,NZ,OM,PA,PE,PG,PH,PL,PT,QA,RO,RS,RU,RW,SA,SC,SD,

(54)Title:RESONATORHAVINGTRANSVERSE-MODESUPPRESSIONSTRUCTURE,ANDMETHODFORMANUFAC-TURINGSAME

(54)发明名称:具有横向模式抑制结构的谐振器及其制作方法

图4

AAVelocity

WO2025/140498A1

WO2025/140498A1

(57)Abstract:Aresonatorhavingatransverse-modesuppressionstructurecomprises:apiezoelectricsubstrate,andanelectrodelayer,apassivationlayerandasuppressionlayer,whicharelocatedabovethepiezoelectricsubstrate.Theelectrodelayercomprisestwointerdigitalelectrodeswhicharearrangedoppositeeachotherinafirstdirection,whereineachinterdigitalelectrodecomprisesabusbarandapluralityofelectrodefingersconnectedtothebusbar,therebeingagapbetweeneachofthepluralityofelectrodefingersinoneinterdigitalelectrodeandabusbarintheotherinterdigitalelectrode,andthepassivationlayerisembeddedbetweenthetwointerdigitalelectrodesinthefir

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