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2026年电子工程师面试问题集及专业解答

一、模拟电路设计题（共5题，每题10分）

题目1（10分）

设计一个低噪声放大器电路，要求增益为20dB，输入阻抗为50Ω，噪声系数小于3dB，工作频率为900MHz。请画出电路原理图，说明关键器件选择理由，并计算主要性能参数。

解答：

1.电路原理图设计：

采用共源共栅放大器结构，共源级提供主要增益，共栅级提供高输入阻抗和宽带宽特性。电路包含晶体管、匹配网络、偏置电路等部分。

2.关键器件选择：

-晶体管：选择SiGeHBT（异质结双极晶体管），其低噪声系数和高截止频率特性适合900MHz应用。

-匹配网络：采用微带线实现50Ω输入输出阻抗匹配，使用Smith圆图设计。

-偏置电路：采用自偏置技术，简化设计并提高稳定性。

3.性能参数计算：

-增益：通过晶体管增益和匹配网络增益计算，理论值可达20dB。

-输入阻抗：共源级提供约50Ω，共栅级提供高阻抗，整体接近50Ω。

-噪声系数：SiGeHBT典型噪声系数为2.5dB，加上匹配网络损耗0.5dB，总噪声系数小于3dB。

-宽带宽度：通过频率响应分析，电路在800MHz-1000MHz范围内增益保持稳定。

题目2（10分）

设计一个仪表放大器，要求输入失调电压小于1μV，共模抑制比(CMRR)大于100dB，带宽为1MHz。请说明电路拓扑结构，计算关键性能参数，并讨论温度漂移影响。

解答：

1.电路拓扑结构：

采用三运放仪表放大器结构，包含两个差分放大级和一个增益设置级。典型电路包含A1、A2、A3三个运算放大器，R1、R2、R3、R4等电阻。

2.关键性能参数计算：

-输入失调电压：通过选择低失调运放和精确电阻匹配，可将失调电压控制在1μV以下。

-CMRR：通过电阻精确匹配和运放选择，CMRR可达120dB以上。

-带宽：选择高速运放，并优化补偿网络，确保1MHz带宽内相位裕度充足。

3.温度漂移讨论：

-输入失调电压漂移：选择温度系数小于0.5μV/°C的运放，并采用热补偿技术。

-电阻温度系数：使用金属膜电阻，温度系数小于10ppm/°C。

-总失调漂移：典型值为0.5μV/°C，满足设计要求。

题目3（10分）

设计一个5V至12V可调稳压电源，要求输出电压范围为1V至5V，输出电流为2A，效率大于85%。请画出电路原理图，说明关键器件选择，并分析纹波抑制比。

解答：

1.电路原理图设计：

采用分段式稳压电路，包含低压段(1V-3V)和高压段(3V-5V)，使用两个不同基准电压的稳压器串联。

2.关键器件选择：

-开关管：选择SiCMOSFET，耐压12V，导通电阻低，适合高效率应用。

-稳压器：低压段使用TL431，高压段使用LT8301，两者基准电压互补。

-散热器：计算功率损耗，选择200W散热片，确保温升小于15℃。

3.纹波抑制比分析：

-输入纹波抑制：通过LC滤波网络，典型值可达60dB。

-输出纹波抑制：两级稳压器叠加抑制效果，总纹波抑制比大于80dB。

-效率分析：通过Bode图分析开关管损耗和稳压器损耗，计算总效率达87%。

题目4（10分）

设计一个比较器电路，要求输入失调电压小于5mV，转换速率大于2V/μs，输入共模范围±12V。请说明关键设计考虑，并计算传播延迟。

解答：

1.关键设计考虑：

-高速运放：选择AD8065，输入失调电压2.5mV，转换速率2.5V/μs。

-带隙基准：使用ARef200，提供精确的基准电压。

-输入保护：添加TVS二极管防止输入过压。

-负反馈补偿：通过RC网络设置相位裕度，防止振荡。

2.性能参数计算：

-传播延迟：典型值15ns（上升沿）+20ns（下降沿）=35ns。

-失调电压：输入失调+基准失调=5mV。

-共模范围：运放输入共模范围±12V，通过电平转换电路扩展。

-建立时间：典型值50ns，满足高速应用需求。

题目5（10分）

设计一个有源滤波器，要求截止频率1kHz，Q因子为10，通带波纹小于0.5dB，阻带衰减大于40dB，请画出电路原理图并说明设计方法。

解答：

1.电路原理图设计：

采用二阶Sallen-Key有源滤波器，使用运算放大器和RC网络实现。

2.设计方法：

-通过公式计算电阻值：f_c=1/(2π√(R1R2C1C2))，Q=(R1+R2)/(2sqrt(R1R2C1C2))

-选择元件值：R1=22kΩ，R2=220kΩ，C1=C2=0.1μF，满足截止频率和Q因子要求。

-通带波纹：通过选择合适的运放和电阻匹配，波纹小于0.5dB。

-阻带衰减：通过增加级联和优化频率响应，阻带衰减