《嵌入式系统原理与应用》_嵌入式课程第3章.pptxVIP

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存储器简介

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存储原理

存储器是利用存储介质的不同稳定状态来存储信息

存储介质特点：①两种稳定状态；②方便检测；③容易相互转换。;

存储器分类

1.按存储介质分类

(1)半导体存储器：速度快，用作内存。

◆记忆原理：触发器、电容(静态、动态)

◆双极型晶体管(ECL、TTL、I2L)

◆场效应管型MOS(PMOS、NMOS、CMOS)

(2)磁表面存储器：容量大，用作外存。

(3)光存储器：可靠性高，保存时间长。;

存储器分类

2.按存储方式分类

(1)随机访问存储器RAM

存储器的任意单元都可随机访问。

访问时间与存储单元的位置无关

(2)只读存储器ROM

正常工作时只读，能随机读出，不能随机写入。

◆MROM:只读

◆PROM:一次写

◆可多次改写ROM:EPROM、E2PROM;

存储器分类

2.按存储方式分类

(3)顺序存取存储器

◆信息以文件形式组织，一个文件包含若干个块，一个块包含若干字节；

◆存储时以数据块为单位存储，数据的读取时间与数据物理位置关系极大；

◆速度慢，容量大，成本低；

◆磁带、电荷耦合器件CCD、VCD;

存储器分类

3.按存储器信息的可保存性分

(1)断电后是否丢失数据

◆易失性存储器特点：断电后，信息就丢失。如SRAM

◆非易失性存储器(永久性存储器)特点：断电后，信息不丢失。如磁盘

(2)读出后是否保持数据

◆破坏性存储器特点：读出时，原存信息被破坏，需重写。如：DRAM

◆非破坏性存储器特点：读出时，原存信息不被破坏。如：SRAM;

存储器分类

4.按在计算机系统中的作用分类

(1)高速缓冲存储器：位于主存和CPU之间

(2)主存储器：一般存在于CPU主板上，常用DRAM构建，用来存储计算机运行期间较常用的大量的程序和数据。

(3)辅助存储器：不能由CPU的指令直接访问，必须通过专门的程序或专门的通道把所需的信息与主存进行成批交换，调入主存后才能使用。;

存储器性能指标

(1)存储容量：存储器所能存储的二进制信息总量。

(2)速度：主存的一项重要技术指标。

◆存取时间：又称访问时间，是指从启动一次存储器操作到完成该操作所经历的时间。

◆存储周期：指连续启动两次独立的存储体操作所需的最小时间间隔。它包括存储器的存取时间和自身恢复时间;

存储器性能指标

(3)带宽(存储器数据传输率、频宽):

存储器单位时间所存取的二进制信息的位数。

带宽=存储器总线宽度/存取周期

(4)价格(每位价格)

存储容量越大，存取速度越快，存储器的价格也就越高。

除上述指标外，影响存储器性能的还有功耗、可靠性等因素。;

常用存储器

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ROM存储器

ROM存储芯片的基本结构;

或阵列

D?D?D?D?

字输出位线;

ROM存储器

一次性编程只读存储器PROM

PROM内部是通过保险丝一样的

结构进行内部连接，只能编程一次。存储位元的基本结构有两种：全“1”熔断丝型、全“O”肖特基二极管型，;

FG浮空栅，CG为控制栅，

当FG有电子积累时，该MOS管的开启电压变得很高，

即使CG为高电平，该管仍不能导通，这种状态代表存储0。

反之，FG无电子积累时，MOS管的开启电压较低，当

CG为高电平时，该管可以导通，这种状态代表存储1;

用EPROM实现组合逻辑

A

B

C;

RAM存储器

SRAM

利用触发器来存储信息

T1通导，T2截止，为“1”状态；T2通导，T1截止，为“0”状态。;

SRAM

保持

字驱动线W处于低电位时，T5、T6截止，切断了两根位线与触发器之间的联系。

写入操作

写入“1”:位线D上加低电位，位线D上加高电位，即B点为高电位，A点为低电位，导致T1导通，T2截止，保存了信息“1”。

写入“O”:位线D上加高电位，位线D上加低电位，即B点为低电位，A点为高电位，导致T2导通，T1截止，保存了信息“0”。;

SRAM

读操作

若原存信息为“1”,即T1导通，T2截止。这时B点为高电位，A点为低电位，分别传给两根位线，使得位线D为低电位，位线D为高电位，表示读出的信息为“1”。

若原存信息为“0”,即T2导通，T1截止。这

时A点为高电位，B点为低电位，分别传给两根位线，使得位线D为高电位，位线D为低电位，表示读出的信息为“0”。;

DRAM

利用和晶体管集电极相连的电容的充放电

来存储信息

定义：C上有电荷—“1”

C无电荷—“0”

保持：字线w低，T截止，切断了C的通路，

C上电荷状态保持不变。当然由于漏电存在，需刷新。;

DRAM

写入操作

写入“1