半导体光电子器件-半导体光电探测器.pptxVIP

半导体光电子器件;

半导体光电探测器

·§4.1光电导效应与器件的基本结构

·§4.2光电探测器的基本参数

·§4.3光电探测器的噪声来源与参数

·§4.4光电二极管的基本结构与工作机

制

·§4.5光电二极管的等效电路

·§4.6pin光电二极管

·§4.7异质结与肖特基光电二极管;

§4.1光电导效应与器件基本结构

普通的光电探测器基本上有三个过程：

(1)入射光产生载流子；

(2)通过任何一种电流增加机构造成载流子输运或者倍增；

(3)电流与外电路相互作用提供输出信号。

一、光电导效应;

§4.1光电导效应与器件基本结构

二、光电导器件基本结构

光生载流子产生率

G=ηaN

光生载流子浓度的变化关系;

§4.1光电导效应与器件基本结构

三、光电流与暗电流

1.光电流;

L↓,H↑,W个

μ↑,R↓,z个

提高I措施;

探测能力就越弱，所以暗电流对设备的灵敏度影响很大。

对于光电导型的探测器，暗电流的大小主要取决于材料本身的电导率和偏压

O

由于较大的暗电流会带来较严重的噪声问题，从实际应用的角度来讲，通

常希望光电探测器的暗电流尽可能的小。;

§4.2光电探测器基本参数

一、光电导与光电流灵敏度

1.光电导的灵敏度

光电导的灵敏度通常定义为单位入射光所产生的光电导率;

§4.2光电探测器基本参数

一、光电导与光电流灵敏度

2.光电流灵敏度

光电流灵敏度定义为光电流与入射光功率的比值;

§4.2光电探测器基本参数

二、光电导量子效率与增益

1.光电子量子效率

量子效率是体现光电探测器的转换能力的一个性能参数;

§4.2光电探测器基本参数

二、光电导量子效率与增益

2.光电导增益

一个光生载流子对外电路贡献的载流子数。

考虑二点：复合，寿命

载流子存在寿命，动态平衡光生载流子形成一定分布；

一端流出，另一端补充，直至载流子复合；

寿命期间向外电路提供的载流子数，即增益：;

§4.2光电探测器基本参数

三、光电导弛豫

1.响应时间(响应速度)

上升时间和下降时间之和被

称为光电探测器的时间常数

T=T,+Tf;

§4.2光电探测器基本参数

三、光电导弛豫

2.光谱响应

光谱响应特性是光电导的??个重要性

能指标

决定着光电导的应用范围和灵敏度

光电导的光谱响应范围是由它的跃迁

类型所决定的;

§4.3光电探测器噪声参数

一、噪声来源

噪声的来源多种多样，所有的光电探测器都会产生噪声，有些来自

大自然，有些来自器件本身，还有些来自应用环境，无论来自哪里，

都会对光电探测器的性能产生一定的影响。

研究表明热噪声、闪烁噪声、散粒噪声和产生-复合噪声是其内部

噪声的主要部分。

特点：随机，不可预测；统计平均值为0。

表征：均方值(方均值)表述。;

一、噪声来源

1.噪声表征

均方值(方均值)表述;

热噪声均方振幅电压值可表示为

电流均方值为

热噪声的功率谱密度为

3.散粒噪声

散粒噪声均方振幅电压值可表示为;

电子-空穴对的产生与复合是随机起伏的，产生-复合噪声的实质是散粒噪声，然而为了突出产生与复合两个要素的作用，将其称作产生-复合散粒噪声，简称为产生---复合噪声;

一、噪声来源光子噪声指光子在

6.光子噪声传输过程中的起伏

电流均方值为引起光生电流的起

i,=2qI△f伏所产生的噪声

7.等效噪声带宽

等效噪声带宽△f;

二、光电探测器噪声参数

1.等效噪声功率-NEP

等效噪声功率是指当光电探测器的信噪比等

于1时入射光信号的功率大小，它反映了光电探测器噪声电压的大小及其探测微弱信号的能力。;

§4.3光电探测器的噪声来源与参数

二、光电探测器噪声参数

2.归一化探测率

人们采用NEP的倒数来表示探测能力，越大则探测器的灵敏度越高;

§4.4光电二极管的基本结构与工作机制

功能：将光信号转换成电信号的pn结二极管。

类型：光电二极管(常规pn结型);

pin光电二极管；

雪崩光电二极管；

金属-半导体(势垒接触)光电二极管；

光电晶体管(双极型、单极型)。

原理：光生载流子定向运动；

光生载流子区域----

中性区、扩散区、空间电荷区。;

§4.4光电二极管的基本结构与工作机制

一、光电二极管的基本结构444;

pn结反偏；

光生载流子构成输出电流。

对光生电流有贡献区域?

光生电流与光电池是否相等?

光生电流是否常数(理想)?;

光电二极管响应速度不仅由电子空穴的迁移时间、结的电容量所决定，也和p层、n层内产生的载流子的扩散时间有关。一般说来，耗尽层厚则迁移时间变长；耗尽层薄会使结电容量增加，响应特性变差;