CN111564563B 一种oled器件及其制备方法 （固安翌光科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN111564563B(45)授权公告日2025.07.08

(21)申请号202010091418.3

(22)申请日2020.02.13

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN111564563A

(43)申请公布日2020.08.21

(66)本国优先权数据

201910113418.62019.02.14CN

(73)专利权人固安翌光科技有限公司

地址065500河北省廊坊市固安县新材料

产业园

(72)发明人鲁天星吴海燕许显斌朱映光

谢静张国辉胡永岚

(74)专利代理机构北京东方芊悦知识产权代理事务所(普通合伙)11591

专利代理师彭秀丽

(51)Int.CI.

H10K59/122(2023.01)

H10K59/123(2023.01)

H10K59/131(2023.01)

H10K59/80(2023.01)

H10K71/00(2023.01)

(56)对比文件

CN209344129U,2019.09.03

CN109841750A,2019.06.04

CN108172598A,2018.06.15

CN109065552A,2018.12.21

US2019019982A1,2019.01.17KR100773992B1,2007.11.08

审查员陈茂兴

权利要求书3页说明书13页附图5页

(54)发明名称

一种OLED器件及其制备方法

(57)摘要

CN111564563B本发明提供了一种OLED器件及其制备方法，包括基板和封装层，基板划分为像素区域和封装区域，基板和封装层之间通过密封介质实现连接，在基板上的像素区域叠加设置有第一电极层、有机发光层和第二电极层，第一电极层和基板之间设置有缓冲层。本发明通过设置缓冲层解决干刻辅助电极出现的侧蚀现象，同时阻挡玻璃基板的金属离子渗入到第一电极层/辅助电极，避免发生电化学腐蚀；通过增加辅助电极，提高屏体的亮度均匀性；同时在第一电极层及辅助电极上设置有像素限定层，与缓冲层直接接触，像素限定层的材质与缓冲层的材质均为无机化合物，对OLED有效像素区和/或像素形成很好的包围结构，避免挥发性气体outgas释放进像素内

CN111564563B

CN111564563B权利要求书1/3页

2

1.一种OLED器件，包括基板(1)和封装层(10),所述基板(1)上划分有若干个呈阵列分布的像素区(11)和包围所有所述像素区(11)的封装区(9),所述基板(1)与所述封装层(10)所形成的密闭空间内设置有第一电极层(2)、辅助电极(7)和像素限定层(12),其特征在于，所述第一电极层(2)/辅助电极(7)和基板(1)之间设置有缓冲层(6),所述缓冲层(6)上设置有若干间隔排布的所述辅助电极(7),所述第一电极层(2)覆盖所述缓冲层(6)和辅助电极(7),所述像素限定层(12)完全覆盖所述辅助电极(7)上的第一电极层(2)且图形化有使第一电极层(2)的至少一部分露出的开口，所述像素限定层(12)覆盖所述第一电极层(2)和缓冲层(6),所述开口的底部为第一电极层(2)与缓冲层(6),所述像素限定层(12)和所述开口内覆盖有连续的有机发光层(3)和第二电极层(4);

所述像素限定层(12)、缓冲层(6)与封装层(10)的材料相同或不同，为氮化硅、氧化硅或氮氧化硅中的一种或几种的组合；

蚀刻去除位于所述辅助电极(7)与封装区(9)之间的所述第一电极层(2),以露出所述缓冲层(6),使位于所述辅助电极(7)与封装区(9)之间的像素限定层(12)与缓冲层(6)直接接触设置。

2.根据权利要求1所述OLED器件，其特征在于，每个所述像素区(11)边缘位置分别被所述像素限定层(12)包围，所述辅助电极(7)分布于呈阵列分布的像素区的横列位置和/或纵列位置；蚀刻去除所述封装区(9)的第一电极层(2)和辅助电极(7),使像素限定层(12)与所述缓冲层(6)直接接触设置。

3.根据权利要求1或2所述OLED器件，其特征在于，位于所述封装区内的所述缓冲层(6)上成型有连续设置的图形化结构，所述封装层(10)与所述缓冲层(6)上所成型的图形化结构直接接触。

4.根据权利要求3所述OLED器件，其特征在于，所述图形