CN112447479B 等离子体处理系统和等离子体点火辅助方法 （东京毅力科创株式会社）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN112447479B(45)授权公告日2025.07.08

(21)申请号202010849988.4

(22)申请日2020.08.21

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN112447479A

(43)申请公布日2021.03.05

(30)优先权数据

(51)Int.CI.

H01J37/32(2006.01)

(56)对比文件

CN102169789A,2011.08.31DE3821208C1,1989.11.02

审查员杨芳

2019-1568612019.08.29JP

(73)专利权人东京毅力科创株式会社地址日本东京都

(72)发明人北邮友志

(74)专利代理机构北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277

专利代理师刘新宇

权利要求书3页说明书10页附图9页

(54)发明名称

等离子体处理系统和等离子体点火辅助方

法

(57)摘要

CN112447479B本发明提供一种等离子体处理系统和等离子体点火辅助方法。等离子体处理系统的控制装置执行收集工序、第一确定工序、第二确定工序以及点火工序。在收集工序中，关于同电力供给部与等离子体之间的阻抗的匹配有关的各个可调节的变量的值，收集表示阻抗的匹配状态的测定值。在第一确定工序中，确定相对于从与各个变量对应的点到匹配点的向量的、测定值的变化的斜率最大的变量的值所对应的通过点，所述匹配点为与阻抗最匹配的状态下的测定值对应的点。在第二确定工序中，将包括通过点和匹配点的直线上的比通过点更远离匹配点的点确定为控制的开始点。在点火工序中，从开始点沿直线

CN112447479B

VC1的控制量[%]

CN112447479B权利要求书1/3页

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1.一种等离子体处理系统，具备：

等离子体处理装置，其具有收容基板的处理容器，通过在处理容器内生成等离子体来对所述基板实施等离子体处理；以及

控制装置，其控制所述等离子体处理装置，

其中，所述控制装置执行以下工序：

收集工序，关于同向所述等离子体供给高频电力的电力供给部与所述等离子体之间的阻抗的匹配有关的各个可调节的变量的值，收集表示所述电力供给部与所述等离子体之间的阻抗的匹配状态的测定值；

第一确定工序，将相对于从与各个所述变量对应的点到匹配点的向量的、所述测定值的变化的斜率最大的所述变量的值所对应的点确定为通过点，所述匹配点为与所述阻抗最匹配的状态下的所述测定值对应的点；

第二确定工序，将包括所述通过点和所述匹配点的直线上的比所述通过点更远离所述匹配点的点确定为控制的开始点；以及

点火工序，控制各个所述变量，以使所述测定值从所述开始点沿所述直线向所述匹配点变化，由此在所述等离子体处理装置内使等离子体点火。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理系统，其特征在于，

在所述第一确定工序中，所述测定值的变化的斜率是通过将所述匹配点处的所述测定值与同所述变量对应的点处的所述测定值的差除以所述向量的大小而得到的。

3.根据权利要求1所述的等离子体处理系统，其特征在于，

在所述第一确定工序中，在将所述测定值视作所述变量的函数时，所述测定值的变化的斜率为朝向所述向量所示的方向的方向微分值。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的等离子体处理系统，其特征在于，

表示所述电力供给部与所述等离子体之间的阻抗的匹配状态的测定值为从包括以下的值的组中选择出的一个值或两个以上的值的组合，所述值包含：所述等离子体的发光强度；针对从所述电力供给部供给至所述等离子体的高频电力的反射波的电力的大小；从所述电力供给部供给至所述等离子体的高频电力与所述反射波的电力之比；以及所述高频电力的电压波形的最大值与最小值的差同叠加于高频电力的直流偏压之比。

5.根据权利要求1至3中的任一项所述的等离子体处理系统，其特征在于，

在所述等离子体点火后执行稳定控制工序，在所述稳定控制工序中，调节各个所述变量的值，以使所述电力供给部与所述等离子体之间的阻抗进一步匹配。

6.根据权利要求5所述的等离子体处理系统，其特征在于，

所述控制装置还执行以下工序：

测定工序，在所述点火工序中测定来自向所述等离子体处理装置内供给高频电力的导体的所述高频电力的反射波的电力；以及

第三确定工序，将与所述反射波的电力减少的斜率最大的所述变量的值对应的点确定为限制点，

在所述稳定控制工序中，使用比通过所述限制点且与所述直线正