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- 2026-01-17 发布于山东
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半导体光刻胶应用工程师岗位招聘考试试卷及答案
一、填空题(共10题,每题1分)
1.光刻胶按曝光后显影特性分为______和负性光刻胶。
2.光刻分辨率的经典公式(瑞利判据)为______(用λ、NA表示)。
3.ArF沉浸式光刻的曝光光源波长为______nm。
4.光刻胶的核心组成成分包括树脂、光敏剂和______。
5.显影液中常用的碱性显影剂是______(化学式)。
6.晶圆光刻前的表面预处理常用______(如HMDS)增强黏附性。
7.曝光剂量的常用单位是______。
8.抗反射涂层(ARC)按位置分为底部ARC(BARC)和______ARC(TARC)。
9.光刻工艺中,曝光后进行的热工艺称为______(PEB)。
10.刻蚀时光刻胶作为掩模,需满足较高的______(刻蚀速率与晶圆材料的比值)。
二、单项选择题(共10题,每题2分)
1.正性光刻胶曝光区域在显影液中会______。
A.溶解B.不溶解C.膨胀D.交联
2.EUV光刻胶的分辨率极限目前可达到______nm以下。
A.10B.14C.7D.5
3.光刻胶软烘的主要作用是______。
A.去除溶剂B.增强黏附C.交联反应D.显影
4.显影后“桥连”缺陷的常见原因是______。
A.曝光剂量过高B.曝光剂量过低C.显影时间过短D.软烘温度过低
5.ArF光刻胶常用的树脂体系是______。
A.酚醛树脂B.丙烯酸酯树脂C.聚酰亚胺D.聚苯乙烯
6.底部抗反射涂层(BARC)的主要作用是______。
A.减少光反射B.增强黏附C.提高分辨率D.降低缺陷
7.光刻胶厚度测量常用的方法是______。
A.SEMB.椭偏仪C.AFMD.台阶仪
8.晶圆清洗常用化学品不包括______。
A.氨水B.双氧水C.氢氟酸D.丙酮
9.负性光刻胶曝光区域会发生______反应。
A.溶解B.交联C.分解D.挥发
10.先进制程光刻胶的关键指标不包括______。
A.分辨率B.敏感度C.刻蚀选择性D.颜色
三、多项选择题(共10题,每题2分,多选/少选不得分)
1.光刻胶的组成成分包括______。
A.树脂B.光敏剂C.溶剂D.添加剂E.金属离子
2.常用光刻曝光光源波长有______。
A.436nm(G线)B.365nm(I线)C.248nm(KrF)D.193nm(ArF)E.13.5nm(EUV)
3.显影工艺的关键参数包括______。
A.显影液浓度B.显影温度C.显影时间D.曝光剂量E.软烘温度
4.光刻缺陷的常见类型有______。
A.桥连B.缺失C.边缘粗糙D.图形偏移E.厚度不均
5.抗反射涂层(ARC)的类型包括______。
A.BARC(底部)B.TARC(顶部)C.金属ARCD.有机ARCE.无机ARC
6.晶圆光刻前预处理步骤包括______。
A.清洗B.脱水烘烤C.HMDS涂覆D.抛光E.刻蚀
7.光刻核心工艺步骤包括______。
A.涂胶B.软烘C.曝光D.PEBE.显影
8.刻蚀对光刻胶的要求包括______。
A.高刻蚀选择性B.高分辨率C.低缺陷D.热稳定性好E.高透明度
9.EUV光刻面临的挑战包括______。
A.光源功率低B.胶敏感度低C.缺陷控制难D.成本高E.分辨率不足
10.正性光刻胶的特点包括______。
A.曝光区域溶解B.图形对比度高C.适合小尺寸图形D.敏感度低E.刻蚀选择性差
四、判断题(共10题,每题2分,√/×)
1.负性光刻胶曝光区域在显影液中溶解。()
2.EUV光刻不需要抗反射涂层。()
3.显影液pH值影响光刻胶图形质量。()
4.PEB温度越高,光刻胶性能越好。()
5.光刻胶厚度与分辨率呈正相关。()
6.HMDS增强晶圆与光刻胶的黏附性。()
7.刻蚀选择性越高,晶圆损伤越小。()
8.正性光刻胶对曝光剂量敏感度比负性高。()
9.EUV光刻胶通常不含金属杂质。()
10.显影时间越长,图形越清晰。()
五、简答题(共4题,每题5分)
1.简述正性与负性光刻胶的原理及应用差异。
2.光刻胶应用中PEB工艺的作用及影响因素。
3.显影后图形边缘粗糙的可能原因及解决方法。
4.如何选择抗反射涂层(ARC)优化光刻分辨率?
六、讨论题(共2题,每题5分)
1.7nm及以下制程中,EUV光刻胶应用面临哪些挑战?如何应对?
2.若光刻工艺出现大面积显影缺陷(桥连、缺失),作为应用工程师如何排查解决?
---
答案
一、填空题答案
1.正性光刻胶
2.R=0.61λ/NA
3.193
4.溶剂
5.TMAH(四甲基氢氧化铵,化学式C?H??NO)
6.黏附促进剂
7.mJ/cm2
8.顶部
9.曝光后烘烤
10.刻蚀选择性
二、单项选择题答案
1.A2.C3.A4.B5.
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