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半导体抛光液研发工程师岗位招聘考试试卷及答案

试题部分

一、填空题（共10题，每题1分）

1.半导体抛光液中最常用的磨料类型之一是______。

2.CMP工艺的全称是______。

3.铜抛光液中常用的氧化剂是______。

4.抛光液中调节pH值的常用试剂包括______（举1例）。

5.钨抛光液中磨料通常选用______。

6.抛光液中分散剂的作用是防止磨料______。

7.硅片抛光常用的碱性抛光液体系以______为磨料。

8.抛光液中螯合剂的作用是络合金属离子，减少______。

9.化学机械平坦化中，化学作用和______作用协同实现平坦化。

10.抛光液的储存温度通常需控制在______（范围）。

二、单项选择题（共10题，每题2分）

1.以下哪种磨料不常用于铜抛光液？

A.SiO?B.CeO?C.Al?O?D.金刚石

2.铜抛光液中H?O?浓度过高，最可能导致的问题是？

A.抛光速率下降B.铜片氧化过度C.磨料团聚D.pH骤降

3.以下哪种添加剂属于pH调节剂？

A.柠檬酸B.氨水C.聚乙二醇D.苯并三氮唑

4.抛光垫的作用不包括？

A.传递压力B.储存抛光液C.调节抛光速率D.检测抛光终点

5.硅片碱性抛光中，SiO?磨料与硅表面发生的反应类型是？

A.氧化还原B.络合C.水解D.离子交换

6.钨抛光液中常用的抑制剂是？

A.柠檬酸B.BTAC.PVPD.硝酸

7.抛光液粒径分布的表征指标是？

A.D50B.粘度C.pHD.浓度

8.导致抛光后硅片划痕的常见原因是？

A.磨料粒径过细B.混入大颗粒杂质C.pH稳定D.分散剂适量

9.铜抛光液中BTA的主要作用是？

A.氧化铜B.分散磨料C.抑制腐蚀D.调节pH

10.抛光液需控制的污染物不包括？

A.重金属离子B.VOCC.磨料残留D.氮气

三、多项选择题（共10题，每题2分）

1.抛光液的主要组成包括？

A.磨料B.氧化剂C.添加剂D.溶剂

2.铜抛光液常用添加剂有？

A.H?O?B.BTAC.柠檬酸D.PVP

3.影响抛光速率的因素有？

A.抛光压力B.抛光盘转速C.抛光液浓度D.磨料粒径

4.硅片抛光常用磨料有？

A.SiO?B.CeO?C.Al?O?D.碳化硅

5.分散剂的作用包括？

A.降低磨料表面能B.防止团聚C.提高分散稳定性D.调节抛光速率

6.钨抛光液的特点是？

A.磨料多为Al?O?B.需强氧化性环境C.含抑制剂D.适用于STI

7.抛光后表面缺陷有？

A.划痕B.腐蚀坑C.金属污染D.平坦度差

8.抛光液性能指标包括？

A.抛光速率B.表面粗糙度C.选择性D.稳定性

9.碱性抛光液常用pH调节剂有？

A.氨水B.KOHC.硝酸D.盐酸

10.CMP关键工艺参数有？

A.抛光压力B.转速比C.抛光液流量D.抛光时间

四、判断题（共10题，每题2分）

1.所有半导体抛光液都含有磨料。（）

2.铜抛光液中H?O?浓度越高，抛光速率越快。（）

3.CeO?磨料主要用于氧化硅抛光。（）

4.抛光液粘度越高，抛光速率越快。（）

5.BTA是铜抛光液常用抑制剂。（）

6.钨抛光液的钨/氧化硅选择性较高。（）

7.抛光液稳定性与pH无关。（）

8.硅片碱性抛光pH通常在9-12之间。（）

9.抛光垫硬度不影响抛光速率。（）

10.抛光液需符合ROHS标准。（）

五、简答题（共4题，每题5分）

1.简述半导体抛光液中磨料的作用及常用类型。

2.铜抛光液中主要添加剂及其作用是什么？

3.简述CMP工艺中化学与机械作用的协同机制。

4.半导体抛光液研发需关注哪些关键性能指标？

六、讨论题（共2题，每题5分）

1.如何优化铜抛光液的铜/氧化硅选择性？结合添加剂与工艺参数分析。

2.半导体抛光液研发中如何降低环境影响？

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答案部分

一、填空题答案

1.二氧化硅（SiO?）

2.化学机械平坦化（ChemicalMechanicalPlanarization）

3.过氧化氢（H?O?）

4.氨水（或硝酸、KOH等合理答案）

5.氧化铝（Al?O?）

6.团聚

7.二氧化硅（SiO?）

8.金属污染

9.机械

10.20-25℃（室温）

二、单项选择题答案

1.B2.B3.B4.D5.D6.C7.A8.B9.C10.D

三、多项选择题答案

1.ABCD2.BCD3.ABCD4.AB5.ABC6.AC7.ABCD8.ABCD9.AB10.ABCD

四、判断题答案

1.×2.×3.√4.×5.√6.√7.×8.√9.×10.√

五、简答题答案

1.磨料是CMP机械作用核心，通过摩擦去除表面凸起实现平坦化。常用类型：①SiO?：硅片/氧化硅抛光，碱性下离子交换，划痕少；②CeO?：氧化硅抛光，活性高、速率快；③Al?O?：钨/铜抛光，去除率高但易划痕；④金刚石：极少用